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AT-64023: 产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小96KB，共4页; 制造商Hewlett Packard Co; 标准

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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Hewlett Packard Co
包装说明	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
外壳连接	EMITTER
最大集电极电流 (IC)	0.2 A
集电极-发射极最大电压	20 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	20
最高频带	S BAND
JESD-30 代码	R-CDFM-F2
JESD-609代码	e4
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	NPN
功耗环境最大值	3 W
最大功率耗散 (Abs)	3 W
最小功率增益 (Gp)	7 dB
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Gold (Au)
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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