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JANTX2N6284

产品描述Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小184KB,共3页
制造商Cobham PLC
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JANTX2N6284概述

Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

JANTX2N6284规格参数

参数名称属性值
厂商名称Cobham PLC
包装说明TO-3, 2 PIN
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)20 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)500
JEDEC-95代码TO-204AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/504
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)4 MHz

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NPN Darlington Power
Silicon Transistor
2N6283 & 2N6284
Features
Available in JAN, JANTX, and JANTXV
per MIL-PRF-19500/504
TO-3 (TO-204AA) Package
Maximum Ratings
Ratings
Collector - Emitter Voltage
Collector - Base Voltage
Emitter - Base Voltage
Base Current
Collector Current
Total Power Dissipation @ TA = +25 °C (1)
@ TA = +100 °C
Operating & Storage Temperature Range
Symbol
VCEO
VCBO
VEBO
IB
IC
PT
Top, Tstg
2N6283
80
80
7.0
0.5
20
175
87.5
-65 to +200°C
2N6284
100
100
Units
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
W
W
Thermal Characteristics
Characteristics
Thermal Resistance, Junction-to-Case
1) Derate linearly @ 1.0 mW/°C for TA > +25°C
Symbol
R
θJC
Maximum
0.857
Units
°C/W
Electrical Characteristics
OFF Characteristics
Collector - Emitter Breakdown Voltage
IC = 100 mAdc
2N6283
2N6284
Collector - Emitter Cutoff Current
VCE = 40 Vdc
VCE = 50 Vdc
Collector - Emitter Cutoff Current
VCE = 80 Vdc, VBE = -1.5 Vdc
VCE = 100 Vdc, VBE = -1.5 Vdc
Emitter - Base Cutoff Current
VEB = 7.0 Vdc
2N6283
2N6284
2N6283
2N6284
Symbol
V(BR)CEO
Mimimum
80
100
---
Maximum
---
Units
Vdc
ICEO
1.0
1.0
0.01
0.01
2.5
mAdc
ICEX
---
mAdc
IEBO
---
mAdc
Revision Date: 11/6/2014
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