电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BYVB32-200

产品描述Rectifier Diode, 18A, 150V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小83KB,共2页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BYVB32-200概述

Rectifier Diode, 18A, 150V V(RRM),

BYVB32-200规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
Reach Compliance Codeunknown
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.15 V
最大非重复峰值正向电流150 A
最高工作温度150 °C
最大输出电流18 A
最大重复峰值反向电压150 V
最大反向恢复时间0.025 µs
表面贴装YES

BYVB32-200文档预览

NEW PRODUCT
NEW PRODUCT
NEW PRODUCT
BYVB32-50 THRU BYVB32-200
FAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER
Reverse Voltage -
50 to 150 Volts
TO-263AB
0.380 (9.65)
0.420 (10.67)
0.245 (6.22)
MIN
K
0.047 (1.19)
0.055 (1.40)
0.160 (4.06)
0.190 (4.83)
0.045 (1.14)
0.055 (1.40)
Forward Current -
18.0 Amperes
FEATURES
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
Dual rectifier construction, positive centertap
Glass passivated chip junctions
Low power loss
Low forward voltage,
high current capability
High surge capability
Superfast recovery time for high efficiency
High temperature soldering in accordance with
CECC 802 / Reflow guaranteed
0.320 (8.13)
0.360 (9.14)
1
K
2
0.575 (14.60)
0.625 (15.88)
SEATING
PLATE
-T-
0.090 (2.29)
0.110 (2.79)
0.018 (0.46)
0.025 (0.64)
0.027 (0.686)
0.037 (0.940)
0.080 (2.03)
0.110 (2.79)
0.095 (2.41)
0.100 (2.54)
MECHANICAL DATA
Case:
JEDEC TO-263AB molded plastic body
Terminals:
Plated leads solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity:
As marked
Mounting Position:
Any
Weight:
0.08 ounce, 2.24 grams
PIN 1
K - HEATSINK
PIN 2
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
SYMBOLS
BYVB32-50
BYVB32-100
BYVB32-150
BYVB32-200
UNITS
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
at T
C
=120°C
Peak forward surge current
10ms single half sine-wave superimposed at
at T
J
=150°C
Maximum instantaneous forward voltage per leg at:
I
F
=20A,
I
F
=5.0A, T
J
=100°C
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
Typical junction capacitance
(NOTE 2)
Maximum thermal resistance per leg
(NOTE 3)
Operating and storage temperature range
T
J
=25°C
T
J
=100°C
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
50
35
50
100
70
100
18.0
150
105
150
200
140
200
Volts
Volts
Volts
Amps
I
FSM
150.0
Amps
V
F
1.15
0.85
10.0
600.0
35.0
45.0
3.0
-65 to +150
Volts
µA
ns
pF
°C/W
°C
I
R
t
rr
C
J
R
ΘJC
T
J
, T
STG
Maximum reverse recovery time per leg
(NOTE 1)
NOTES:
(1) Reverse recovery test conditions: I
F
=1A V
R
=30V, di/dt=100A/µs, Irr=10% I
RM
(2) Measured at 1.0 MH
Z
and applied reverse voltage of 4.0 Volts
(3) Thermal resistance from junction to case per leg mounted on heatsink
NOTICE:
Advanced product information is subject to change without notice
4/98
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES BYVB32-50 THRU BYVB32-200
FIG. 2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK
FORWARD SURGE CURRENT PER LEG
PEAK FORWARD SURGE CURRENT,
AMPERES
FIG.1 - FORWARD CURRENT DERATING CURVE
AVERAGE FORWARD CURRENT,
AMPERES
20
18
16
12
8.0
4.0
0
150
125
100
75
50
25
0
T
J
=150°C
10ms SINGLE HALF SINE WAVE
(JEDEC Method)
RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD
0
50
100
150
1
10
NUMBER OF CYCLES AT 50 H
Z
100
CASE TEMPERATURE, °C
FIG. 3 - TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD
CHARACTERISTICS PER LEG
FIG. 4 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
PER LEG
100
1,000
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT,
AMPERES
10
INSTANTANEOUS REVERSE LEAKAGE CURRENT,
MICROAMPERES
T
J
= 25°C
PULSE WIDTH = 300µs
1% DUTY CYCLE
100
T
C
=100°C
1
10
0.1
0.01
0.4
1
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE,
VOLTS
T
C
=25°C
0.1
FIG. 5 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE PER LEG
0
20
40
60
80
100
60
JUNCTION CAPACITANCE, pF
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE
VOLTAGE, %
50
40
30
20
10
0
T
J
=25°C
f=1.0 MH
Z
Vsig=5mVp-p
1
10
REVERSE VOLTAGE, VOLTS
100

BYVB32-200相似产品对比

BYVB32-200 BYVB32-150 BYVB32-50
描述 Rectifier Diode, 18A, 150V V(RRM), Rectifier Diode, 18A, 150V V(RRM) Rectifier Diode, 18A, 50V V(RRM)
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.15 V 1.15 V 1.15 V
最大非重复峰值正向电流 150 A 150 A 150 A
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 18 A 18 A 18 A
最大重复峰值反向电压 150 V 150 V 50 V
最大反向恢复时间 0.025 µs 0.025 µs 0.025 µs
表面贴装 YES YES YES
手机07版_杭州公交查询
手机支持MIDP2.0都能用,完全免费,要的发邮件给我 zhanghong504@163.com...
毛毛虫 嵌入式系统
AD采样时好时坏??
用M4内部自带ADC做AD采样,输入的是3K多HZ的正弦信号,采样频率为15KHz,在其他参数都未改动的情况下,AD转换后的数据时而正常,可以采到正确的正弦信号,时而错误,如下图所示,为某时刻采样到 ......
singletravel 综合技术交流
WinCE5.0操作系统定制
我现在已经有了开发板和其相应的BSP,另外附加有几个I/O模块的板子(它们的驱动都有,还有SDK也有),在做系统定制(裁减)的时候,怎么处理才能个让这几块板子也能用?是不是得改BSP里面的 ......
lemonnofeeling 嵌入式系统
基于ARM的视频监控终端的设计与实现
引言   视频监控系统在工业、军事、民用领域有着广泛的应用,为这些行业的安全防范和环境监控起到了不可忽视的作用。视频监控系统正逐步由模拟化走向数字化,随着半导体技术的飞速发展和多 ......
ARM技术
CCS5.4开发环境调试时,点击暂停就报找不到文件utl_halt.c
有没用CCS5.4的,报错找不到Utl_halt.c文件是怎么回事?安装CCS5.4时就没有这个文件,我去哪里找这个文件呢?谢谢。...
zhaolanbao123 DSP 与 ARM 处理器
如何编写arm7挂载IDE硬盘驱动
各位兄台,小弟初学嵌入式,老师给一题目,要在arm7挂载IDE硬盘,驱动自己编写。对于本菜鸟实在是难,所以在此向各位高手请教,望予以支持,小弟没齿难忘。 小弟初到此,小小10分双手奉上~...
bestall100 ARM技术

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 96  1761  1365  554  2586  53  51  26  46  15 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved