HYB18T1G160AC-3S,HYB18T1G160AC-3S pdf中文资料,HYB18T1G160AC-3S引脚图,HYB18T1G160AC-3S电路-Datasheet-电子工程世界

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HYB18T1G160AC-3S: 产品描述DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA92, 10 X 20 MM, MO-207DL-Z, FBGA-92; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共95页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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HYB18T1G160AC-3S概述

DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA92, 10 X 20 MM, MO-207DL-Z, FBGA-92

HYB18T1G160AC-3S规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	DSBGA
包装说明	FBGA,
针数	92
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.45 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B92
长度	20 mm
内存密度	1073741824 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	92
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
组织	64MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	FBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, FINE PITCH
认证状态	Not Qualified
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	10 mm

HYB18T1G160AC-3S相似产品对比

	HYB18T1G160AC-3S	HYB18T1G400AC-3S	HYB18T1G400AC-3	HYB18T1G160AC-3	HYB18T1G800AC-3S	HYB18T1G800AC-3
描述	DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA92, 10 X 20 MM, MO-207DL-Z, FBGA-92	DDR DRAM, 256MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA68, 10 X 20 MM, MO-207DM-Z, FBGA-68	DDR DRAM, 256MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA68, 10 X 20 MM, MO-207DM-Z, FBGA-68	DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA92, 10 X 20 MM, MO-207DL-Z, FBGA-92	DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA68, 10 X 20 MM, MO-207DM-Z, FBGA-68	DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA68, 10 X 20 MM, MO-207DM-Z, FBGA-68
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	DSBGA	DSBGA	DSBGA	DSBGA	DSBGA	DSBGA
包装说明	FBGA,	FBGA,	FBGA,	FBGA,	FBGA,	FBGA,
针数	92	68	68	92	68	68
Reach Compliance Code	unknown	unknown	compliant	compliant	unknown	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B92	R-PBGA-B68	R-PBGA-B68	R-PBGA-B92	R-PBGA-B68	R-PBGA-B68
长度	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm
内存密度	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	16	4	4	16	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	92	68	68	92	68	68
字数	67108864 words	268435456 words	268435456 words	67108864 words	134217728 words	134217728 words
字数代码	64000000	256000000	256000000	64000000	128000000	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
组织	64MX16	256MX4	256MX4	64MX16	128MX8	128MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	FBGA	FBGA	FBGA	FBGA	FBGA	FBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm

HYB18T1G160AC-3S

HYB18T1G160AC-3S概述

HYB18T1G160AC-3S规格参数

HYB18T1G160AC-3S相似产品对比

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