ACT-S512K32N-020F18I,ACT-S512K32N-020F18I pdf中文资料,ACT-S512K32N-020F18I引脚图,ACT-S512K32N-020F18I电路-Datasheet-电子工程世界

ACT-S512K32N-020F18I: 产品描述Cache SRAM Module, 512KX32, 20ns, CMOS, CQFP68, 0.940 X 0.940 INCH, 0.140 INCH HEIGHT, SINGLE CAVITY, CERAMIC, QFP-68; 产品类别存储存储; 文件大小368KB，共9页; 制造商Cobham Semiconductor Solutions

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ACT-S512K32N-020F18I概述

Cache SRAM Module, 512KX32, 20ns, CMOS, CQFP68, 0.940 X 0.940 INCH, 0.140 INCH HEIGHT, SINGLE CAVITY, CERAMIC, QFP-68

参数名称	属性值
厂商名称	Cobham Semiconductor Solutions
零件包装代码	QFP
包装说明	QFP,
针数	68
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	20 ns
其他特性	ALSO CONFIGURABLE AS 2M X 8
备用内存宽度	16
JESD-30 代码	S-CQFP-G68
长度	23.876 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM MODULE
内存宽度	32
功能数量	1
端子数量	68
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX32
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QFP
封装形状	SQUARE
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.556 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
宽度	23.876 mm

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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