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MBRB20080GCTTRRPBF

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 80V V(RRM), Silicon, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小237KB,共7页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准  
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MBRB20080GCTTRRPBF概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 80V V(RRM), Silicon, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

MBRB20080GCTTRRPBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TO-263
包装说明R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流850 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压80 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30

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Bulletin PD-20838 rev. A 10/06
MBRB20...GCT
MBR20...GCT-1
SCHOTTKY RECTIFIER
20 Amp
I
F(AV)
= 20 Amp
V
R
= 80/100V
Major Ratings and Characteristics
Characteristics
I
F(AV)
Rectangular waveform
(Per Device)
I
FRM
@ T
C
= 133°C
(Per Leg)
V
RRM
I
FSM
@ tp = 5
μs
sine
V
F
T
J
@ 10 Apk, T
J
= 125°C
range
20
80/ 100
850
0.70
- 65 to 150
A
V
A
V
°C
Description/ Features
Units
A
This center tap Schottky rectifier has been optimized for low
reverse leakage at high temperature. The proprietary barrier
technology allows for reliable operation up to 150° C junction
temperature. Typical applications are in switching power
supplies, converters, free-wheeling diodes, and reverse bat-
tery protection.
150° C T
J
operation
Center tap D
2
Pak and TO-262 packages
Low forward voltage drop
High purity, high temperature epoxy encapsulation for
enhanced mechanical strength and moisture resistance
High frequency operation
Guard ring for enhanced ruggedness and long term
reliability
Values
20
Case Styles
MBRB20...GCT
MBR20...GCT-1
Base
Common
Cathode
2
Base
Common
Cathode
2
1
Anode
2
Common
Cathode
3
Anode
1
Anode
2
Common
Cathode
3
Anode
D
2
PAK
www.irf.com
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