Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Zetex Semiconductors |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 0.5 A |
集电极-发射极最大电压 | 30 V |
配置 | DARLINGTON |
最小直流电流增益 (hFE) | 5000 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码 | e0 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 2 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 125 MHz |
VCEsat-Max | 1.5 V |
FZTA63 | FZTA64 | |
---|---|---|
描述 | Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN | Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Zetex Semiconductors | Zetex Semiconductors |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 0.5 A | 0.5 A |
集电极-发射极最大电压 | 30 V | 30 V |
配置 | DARLINGTON | DARLINGTON |
最小直流电流增益 (hFE) | 5000 | 20000 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
湿度敏感等级 | 1 | 1 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 4 | 4 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | PNP | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 2 W | 2 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 125 MHz | 125 MHz |
VCEsat-Max | 1.5 V | 1.5 V |
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