Reflexlichtschranke im SMT-Gehäuse
Reflective Interrupter in SMT Package
SFH 9201
0...0.1
6.2
5.8
3.4
3.0
4.2
3.8
0.15
0.13
2.1
1.7
0.5
0.3
1.27 spacing
GEO06840
1
2
3
1
Anode
2
-
3
Emitter
6
5
4
4
Collector
5
-
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Optimaler Arbeitsabstand 1 mm bis 5 mm
q
IR-GaAs-Lumineszenzdiode: Sender
q
Si-NPN-Fototransistor: Empfänger
q
Tageslichtsperrfilter
q
Hoher Kollektor-Emitter-Strom typ. 0.7 mA
q
Geringe Sättigungsspannung
q
Sender und Empfänger galvanisch getrennt
Anwendungen
q
Positionsmelder
q
Endabschalter
q
Drehzahlüberwachung, -regelung
q
Bewegungssensor
Typ
Type
SFH 9201
SFH 9201-1/2
SFH 9201-2/3
SFH 9201-3/4
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P5038
Q62702-P5055
Q62702-P5056
Q62702-P5057
Features
q
Optimal operating distance 1 mm to 5 mm
q
IR-GaAs-emitter
q
Silicon NPN phototransistor detector
q
Daylight filter against undesired light effects
q
High collector-emitter current typ. 0.7 mA
q
Low saturation voltage
q
Emitter and detector electrically isolated
Applications
q
Position reporting
q
End position switch
q
Speed monitoring and regulating
q
Motion transmitter
I
CE
I
F
= 10 mA,
V
CE
= 5 V, d = 1 mm
mA
0.25 … 2.00
0.25 … 0.80
0.40 … 1.25
0.63 … 2.00
Semiconductor Group
1
1998-08-25
feo06422
6
Cathode
SFH 9201
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Sender
(GaAs-Diode)
Emitter
(GaAs diode)
Sperrspannung
Reverse voltage
Vorwärtsgleichstrom
Forward current
Verlustleistung
Power dissipation
Empfänger
(Si-Fototransistor)
Detector
(silicon phototransistor)
Dauer-Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Continuous collector-emitter voltage
Kollektor-Emitter-Sperrspannung, (
t
≤
2 min)
Collector-emitter voltage, (
t
≤
2 min)
Emitter-Kollektor-Sperrspannung
Emitter-collector voltage
Kollektorstrom
Collector current
Verlustleistung
Total power dissipation
Reflexlichtschranke
Light reflection switch
Lagertemperatur
Storage temperature range
Umgebungstemperatur
Ambient temperature range
Elektrostatische Entladung
Electrostatic discharge
Umweltbedingungen / Environment conditions
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
V
R
I
F
P
tot
5
50
80
V
mA
mW
V
CE
V
CE
V
EC
I
C
P
tot
16
30
7
10
100
V
mA
mW
T
stg
T
A
ESD
– 40 ... + 85
– 40 ... + 85
2
°C
KV
3 K3 acc. to EN 60721-3-3 (IEC 721-3-3)
Semiconductor Group
2
1998-08-25
SFH 9201
Löthinweise
Soldering conditions
Bauform
Type
Drypack
Level acc.
to IPS-
stand. 020
Tauch-, Schwalllötung
Dip, wave soldering
Reflowlötung
Reflow soldering
Kolbenlötung
Iron soldering
Peak temp. Max. time in Peak temp.
(solderbath) peak zone
(package
temp.)
n. a.
–
245
°C
Max. time in (Iron temp.)
peak zone
10 sec.
300
°C
< 5 sec.
SFH 9201 4
Bitte Verarbeitungshinweise für SMT-Bauelemente beachten!
Please observe the handling guidelines for SMT devices!
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Sender
(IR-GaAs-Diode)
Emitter
(IR-GaAs diode)
Durchlaβspannung
Forward voltage
I
F
= 50 mA
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Wärmewiderstand
1)
Thermal resistance
1)
Empfänger
(Si-Fototransistor)
Detector
(silicon phototransistor)
Kapazität
Capacitance
V
CE
= 5 V,
f
= 1 MHz
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitter leakage current
V
CE
= 20 V
Fotostrom (Fremdlichtempfindlichkeit)
Photocurrent (outside light density)
V
CE
= 5 V,
E
V
= 1000 Lx
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
V
F
1.25 (≤ 1.65)
V
I
R
0.01 (≤ 1)
µA
C
O
25
pF
R
thJA
400
K/W
C
CE
10
pF
I
CEO
3
(≤
200)
nA
I
P
3.5
mA
Semiconductor Group
3
1998-08-25
SFH 9201
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wärmewiderstand
1)
Thermal resistance
1)
Reflexlichtschranke
Light reflection switch
Kollektor-Emitterstrom
I
CE min.
Collector-emitter current
I
CE typ.
Kodak neutral white test card, 90 % Reflexion
I
F
= 10 mA;
V
CE
= 5 V;
d
= 1 mm
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
V
CE sat
Collector-emitter-saturation voltage
Kodak neutral white test card, 90 % Reflexion
I
F
= 10 mA;
d
= 1 mm;
I
C
= 85
µA
1)
1)
Symbol
Symbol
Wert
Value
400
Einheit
Unit
K/W
R
thJA
0.25
0.70
mA
mA
0.15 (≤ 0.6)
V
Montage auf PC-Board mit >5 mm
2
Padgröβe
Mounting on pcb with >5 mm
2
pad size
d
Reflector
with 90% reflexion
(Kodak neutral white
test card)
OHM02257
Semiconductor Group
4
1998-08-25
SFH 9201
Schaltzeiten
(
T
A
= 25
°C,
V
CC
= 5 V,
I
C
= 1 mA
1)
,
R
L
= 1 kΩ)
Switching times
Ι
F
R
L
Ι
C
V
CC
Output
OHM02258
Bezeichnung
Description
Einschaltzeit
Turn-on time
Anstiegzeit
Rise time
Ausschaltzeit
Turn-off time
Abfallzeit
Fall time
1)
1)
Symbol
Symbol
Wert
Value
65
50
55
50
Einheit
Unit
µs
µs
µs
µs
t
ein
t
on
t
r
t
aus
t
off
t
f
I
C
eingestellt über den Durchlaβstrom der Sendediode, den Reflexionsgrad und den Abstand des Reflektors
vom Bauteil (d)
I
C
as a function of the forward current of the emitting diode, the degree of reflection and the distance between
reflector and component (d)
Collector current
C
----------
=
f
(
d
)
-
I
Cmax
I
Permissible power dissipation for
diode and transistor
P
tot
=
f
(T
A
)
Switching characteristics
t
=
f
(R
L
)
T
A
=
25
o
C,
I
F
= 10 mA
Ι
C max
%
80
Ι
C
100
OHO02255
160
OHO02260
Total power dissipation
10
3
OHO00785
P
tot
mW
120
t
µ
s
Ι
C
= 100
µ
A
t
on
Detector
60
80
Emitter
10
2
t
off
t
on
40
t
off
Ι
C
= 1 mA
40
20
Kodak neutral
white test card
Mirror
0
0
0
1
2
3
4 mm 5
d
0
20
40
60
80
C 100
10
1 -1
10
10
0
T
A
k
Ω
R
L
10
1
Semiconductor Group
5
1998-08-25
嵌入式系统
京公网安备 11010802033920号
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