IRFM240PBF,IRFM240PBF pdf中文资料,IRFM240PBF引脚图,IRFM240PBF电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRFM240PBF

IRFM240PBF: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小236KB，共7页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

IRFM240PBF概述

Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN

IRFM240PBF规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	TO-254AA
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	450 mJ
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V
最大漏极电流 (ID)	18 A
最大漏源导通电阻	0.25 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254AA
JESD-30 代码	R-MSFM-P3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	72 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	125 ns
最大开启时间（吨）	172 ns

IRFM240PBF相似产品对比

	IRFM240PBF	IRFM240DPBF	IRFM240UPBF
描述	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	TO-254AA	TO-254AA	TO-254AA
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
针数	3	3	3
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	450 mJ	450 mJ	450 mJ
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V	200 V	200 V
最大漏极电流 (ID)	18 A	18 A	18 A
最大漏源导通电阻	0.25 Ω	0.25 Ω	0.25 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254AA	TO-254AA	TO-254AA
JESD-30 代码	R-MSFM-P3	S-MSFM-P3	S-MSFM-P3
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL
封装形状	RECTANGULAR	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	125 W	125 W	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	72 A	72 A	72 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	125 ns	125 ns	125 ns
最大开启时间（吨）	172 ns	172 ns	172 ns

推荐资源

由FDD400／JDD400组成的多路报警系统

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多