Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) |
Reach Compliance Code | not_compliant |
配置 | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 75 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码 | e3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 231 W |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
IRF2903ZLTRLPBF | IRF2903ZLTRRPBF | |
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描述 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) | International Rectifier ( Infineon ) |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
配置 | Single | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 75 A | 75 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码 | e3 | e3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 231 W | 231 W |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
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