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IRF2903ZLTRLPBF

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小345KB,共11页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
标准
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IRF2903ZLTRLPBF概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

IRF2903ZLTRLPBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
Reach Compliance Codenot_compliant
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)75 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)231 W
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

IRF2903ZLTRLPBF相似产品对比

IRF2903ZLTRLPBF IRF2903ZLTRRPBF
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 75 A 75 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e3 e3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 231 W 231 W
表面贴装 NO NO
端子面层 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

 
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