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FW813

产品描述N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小341KB,共5页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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FW813概述

N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

FW813规格参数

参数名称属性值
厂商名称SANYO
零件包装代码SC-87
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)5 A
最大漏源导通电阻0.049 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)52 A
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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Ordering number : ENA1884
FW813
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
FW813
Features
N-Channel Silicon MOSFET
General-Purpose Switching Device
Applications
ON-resistance RDS(on)1=39m
Ω
(typ.)
4V drive
Nch + Nch MOSFET
Specifications
Absolute Maximum Ratings
at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Total Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
PT
Tch
Tstg
PW≤10μs, duty cycle≤1%
When mounted on ceramic substrate (2000mm
×0.8mm)
1unit, PW≤10s
When mounted on ceramic substrate (2000mm
×0.8mm),
PW≤10s
2
2
Conditions
Ratings
60
±20
5
52
2.3
2.5
150
-
-55 to +150
Unit
V
V
A
A
W
W
°C
°C
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7005A-003
5.0
0.8
8
5
0.2
0.3
Product & Package Information
• Package
: SOP8
• JEITA, JEDEC
: SC-87, SOT96
• Minimum Packing Quantity : 1,000 pcs./reel
Packing Type : TL
Marking
0.1
6.0
4.4
W813
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Source2
4 : Gate2
5 : Drain2
6 : Drain2
7 : Drain1
8 : Drain1
SANYO : SOP8
TL
LOT No.
0.8
1
1.27
4
0.43
Electrical Connection
8
7
6
5
1.8 MAX
1.5
0.7
1
2
3
4
http://semicon.sanyo.com/en/network
D0810PA TKIM TC-00002348 No. A1884-1/4
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