DRAM, 4MX16, 70ns, CMOS, PBGA48
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
| 包装说明 | FBGA, BGA48,6X8,30 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 最长访问时间 | 70 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B48 |
| 内存密度 | 67108864 bit |
| 内存宽度 | 16 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 端子数量 | 48 |
| 字数 | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 4MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | FBGA |
| 封装等效代码 | BGA48,6X8,30 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 |
| 电源 | 2.9 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.00018 A |
| 最大压摆率 | 0.04 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.9 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.75 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| K1S64161CC-FI70T | K1S64161CC-BI70 | K1S64161CC-FI70 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | DRAM, 4MX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | DRAM, 4MX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | DRAM, 4MX16, 70ns, CMOS, PBGA48 |
| 是否无铅 | 含铅 | 不含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
| 包装说明 | FBGA, BGA48,6X8,30 | FBGA, BGA48,6X8,30 | FBGA, BGA48,6X8,30 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
| 最长访问时间 | 70 ns | 70 ns | 70 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B48 | R-PBGA-B48 | R-PBGA-B48 |
| 内存密度 | 67108864 bit | 67108864 bit | 67108864 bit |
| 内存宽度 | 16 | 16 | 16 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 48 | 48 | 48 |
| 字数 | 4194304 words | 4194304 words | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 | 4000000 | 4000000 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 4MX16 | 4MX16 | 4MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | FBGA | FBGA | FBGA |
| 封装等效代码 | BGA48,6X8,30 | BGA48,6X8,30 | BGA48,6X8,30 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, FINE PITCH | GRID ARRAY, FINE PITCH | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 | 225 | 225 |
| 电源 | 2.9 V | 2.9 V | 2.9 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.00018 A | 0.00018 A | 0.00018 A |
| 最大压摆率 | 0.04 mA | 0.04 mA | 0.04 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.9 V | 2.9 V | 2.9 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | BALL | BALL | BALL |
| 端子节距 | 0.75 mm | 0.75 mm | 0.75 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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