Datasheet> 器件分类 > 无线/射频/通信> 射频和微波> SBF5089ZSR

SBF5089ZSR: 产品描述Wide Band Low Power Amplifier, 1 Func, GAAS,; 产品类别无线/射频/通信射频和微波; 文件大小738KB，共8页; 制造商Qorvo; 官网地址https://www.qorvo.com; 标准

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SBF5089ZSR概述

Wide Band Low Power Amplifier, 1 Func, GAAS,

SBF5089ZSR规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Qorvo
包装说明	TO-243
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	5A991.G
安装特点	SURFACE MOUNT
功能数量	1
端子数量	3
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码	TO-243
电源	4.9 V
射频/微波设备类型	WIDE BAND LOW POWER
最大压摆率	98 mA
表面贴装	YES
技术	GAAS

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SBF5089ZDC

to 500MHz,

Cascadable

InGaP/GaAs

HBT MMIC

Amplifier

SBF5089Z

DC to 500MHz, CASCADABLE InGaP/GaAs

HBT MMIC AMPLIFIER

Package: SOT-89

Product Description

RFMD’s SBF5089Z is a high performance InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Tran-

sistor MMIC Amplifier. A Darlington configuration designed with InGaP process tech-

nology provides broadband performance up to 0.5GHz with excellent thermal

performance. The heterojunction increases breakdown voltage and minimizes leak-

age current between junctions. Cancellation of emitter junction non-linearities

results in higher suppression of intermodulation products. Only a single positive

supply voltage, DC-blocking capacitors, a bias resistor, and an optional RF choke

are required for operation.

Optimum Technology

Matching® Applied

GaAs HBT

22.5

17.5

12.5

7.5

100

200

300

400

500

600

700

800

S21

S11

S22

Features



=41dBm at 240MHz

Stable Gain Over

Temperature

Robust 1000V ESD, Class 1C

Operates From Single Supply

Low Thermal Resistance

Receiver IF Applications

Cellular, PCS, GSM, UMTS

IF Amplifier

Wireless Data, Satellite

Terminals



*DLQ

5HWXUQ /RVV YHUVXV )UHTXHQF\ &

-5

-10

-15

-20

-25

-30

-35

-40

900

Applications



,5/ 25/ G%



GaAs MESFET

InGaP HBT

SiGe BiCMOS

*DLQG%



Si BiCMOS

SiGe HBT

GaAs pHEMT

Si CMOS

Si BJT

GaN HEMT

InP HBT

RF MEMS

LDMOS

)UHTXHQF\0+]

Parameter

Small Signal Gain

Min.

Specification

Typ.

Max.

Unit

Condition

20.5

70MHz

18.5

20.0

21.5

240MHz

18.0

19.5

21.0

500MHz

Output Power at 1dB Compression

dBm

70MHz

dBm

240MHz

19.2

20.7

dBm

400MHz

Output Third Order Intercept Point

39.0

dBm

70MHz

41.0

dBm

240MHz

37.5

39.5

dBm

400MHz

Input Return Loss

500MHz

Output Return Loss

12.0

16.0

500MHz

Noise Figure

2.8

3.8

500MHz

Device Operating Voltage

4.5

4.9

5.3

Device Operating Current

Thermal Resistance

°C/W

junction to lead

Test Conditions: V

=8V, I

=90mA Typ., T

=25°C. OIP

Tone Spacing=1MHz, P

OUT

per tone=0dBm, R

BIAS

=33. Data with Application Circuit.

RF MICRO DEVICES®, RFMD®, Optimum Technology Matching®, Enabling Wireless Connectivity™, PowerStar®, POLARIS™ TOTAL RADIO™ and UltimateBlue™ are trademarks of RFMD, LLC. BLUETOOTH is a trade-

mark owned by Bluetooth SIG, Inc., U.S.A. and licensed for use by RFMD. All other trade names, trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. ©2006, RF Micro Devices, Inc.

DS111011

7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 · For sales or technical

support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.

1 of 8

SBF5089Z

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Device Current (I

)

Device Voltage (V

)

RF Input Power

Max Operating Dissipated Power

Junction Temp (T

)

Operating Temp Range (T

)

Storage Temp

ESD Rating - Human Body Model

(HBM)

Rating

150

+19

0.8

+150

-40 to +85

+150

Class 1C

Unit

dBm

°C

Caution! ESD sensitive device.

Exceeding any one or a combination of the Absolute Maximum Rating conditions may

cause permanent damage to the device. Extended application of Absolute Maximum

Rating conditions to the device may reduce device reliability. Specified typical perfor-

mance or functional operation of the device under Absolute Maximum Rating condi-

tions is not implied.

RoHS status based on EUDirective2002/95/EC (at time of this document revision).

The information in this publication is believed to be accurate and reliable. However, no

responsibility is assumed by RF Micro Devices, Inc. ("RFMD") for its use, nor for any

infringement of patents, or other rights of third parties, resulting from its use. No

license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of

RFMD. RFMD reserves the right to change component circuitry, recommended appli-

cation circuitry and specifications at any time without prior notice.

Moisture Sensitivity Level

MSL 2

Operation of this device beyond any one of these limits may cause permanent dam-

age. For reliable continuous operation, the device voltage and current must not

exceed the maximum operating values specified in the table on page one.

Bias Conditions should also satisfy the following expression:

<(T

-T

)/R

, j-l and T

LEAD

Typical RF Performance at Key Operating Frequencies

Parameter

Small Signal Gain

Output Third Order Intercept Point

Output Power at 1dB Compression

Input Return Loss

Output Return Loss

Reverse Isolation

Noise Figure

Unit

dBm

70MHz

20.5

21.0

19.4

17.2

25.2

2.7

100MHz

20.4

21.0

19.9

15.8

22.4

2.8

240MHz

20.1

21.0

20.1

18.6

22.3

2.7

400MHz

19.8

39.5

20.7

20.9

24.0

22.3

2.8

500MHz

19.5

20.8

22.0

37.5

22.3

2.8

850MHz

18.2

18.6

26.8

15.5

22.4

2.8

Test Conditions: V

=8V, I

=90mA Typ., OIP

Tone Spacing=1MHz, P

OUT

per tone=0dBm. T

=25°C, R

BIAS

=33, Z

=50, App circuit.

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DS111011

SBF5089Z

P1dB versus Temp

21.5

150

250

350

450

550

650

750

850

+25°C

-40°C

+85°C

TOIP versus Temp

Output Power (dBm)

20.5

19.5

18.5

17.5

150

250

350

450

550

Frequency(MHz)

650

750

850

+25°C

-40°C

-85°C

TOIP (dB)

Frequency(MHz)

Noise Figure versus Temp

4.5

3.5

NF (dB)

2.5

1.5

0.5

150

250

350

450

550

650

750

850

+25°C

-40°C

+85°C

Frequency(MHz)

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3 of 8

SBF5089Z

Test Conditions: V

=8V, R

BIAS

=33, I

=90mA, T=+25°C,

versus

Frequency

-10

-12

-14

-16

-18

-20

-22

-24

-26

-28

-30

150

250

350

450

550

650

750

850

+25&

-40&

+85&

versus Frequency

21.5

+25&

20.5

-40&

+85&

(dB

19.5

18.5

17.5

150

250

350

450

550

650

750

850

)

Frequency (MHz)

versus Frequency

-20

-20.5

-21

-21.5

-22

-22.5

-23

-23.5

-24

-24.5

-25

150

250

350

450

550

650

750

850

+25&

-40&

+85&

versus Frequency

-10

-12

-14

-16

-18

+25&

+25c

-40&

-40c

+85c

+85&

(dB)

-20

-22

-24

-26

-28

-30

150

250

350

450

550

650

750

850

Frequency (MHz)

Bias Sweep versus Temperature

100

+25°C

-40°C

+85°C

Current (mA)

Source voltage

Note: Output Return Loss can be improved at low end of band with L1 selection.

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SBF5089Z

Application Circuit Schematic

(Rbias)

1000

1 uF

R F out

R F in

Application Circuit Element Values

SBF5089Z

Reference Designator

C5 & C6

70MHz

1uF

6.8uH

6.8nH

100MHz

1000pF

100pF

1.2uH

12nH

240MHz

1000pF

100pF

1.2uH

12nH

500MHz

220pF

100pF

68nH

6.8nH

850MHz

100pF

68pF

33nH

6.8nH

Recommended Bias Resistance for I

=90mA

Supply Voltage (V

) (Volts)

Bias Resistance ()

7.5

Note=R

BIAS

provides DC bias stability over temperature.

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	SBF5089ZSR	SBF5089ZSQ
描述	Wide Band Low Power Amplifier, 1 Func, GAAS,	Wide Band Low Power Amplifier, 1 Func, GAAS,
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	Qorvo	Qorvo
包装说明	TO-243	TO-243
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	5A991.G	5A991.G
安装特点	SURFACE MOUNT	SURFACE MOUNT
功能数量	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码	TO-243	TO-243
电源	4.9 V	4.9 V
射频/微波设备类型	WIDE BAND LOW POWER	WIDE BAND LOW POWER
最大压摆率	98 mA	98 mA
表面贴装	YES	YES
技术	GAAS	GAAS

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