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SST85LD1001T-60-RI-LBTE

产品描述IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91, 12 X 24 MM, ROHS COMPLIANT, MO-210, LBGA-91
产品类别嵌入式处理器和控制器    微控制器和处理器   
文件大小913KB,共36页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
标准  
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SST85LD1001T-60-RI-LBTE在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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SST85LD1001T-60-RI-LBTE概述

IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91, 12 X 24 MM, ROHS COMPLIANT, MO-210, LBGA-91

SST85LD1001T-60-RI-LBTE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Microchip(微芯科技)
零件包装代码BGA
包装说明LBGA,
针数91
Reach Compliance Codecompliant
其他特性ALSO REQUIRES 5 V SUPPLY
驱动器接口标准IDE
外部数据总线宽度16
主机数据传输速率最大值30 MBps
主机接口标准ATA
JESD-30 代码R-PBGA-B91
长度24 mm
端子数量91
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.4 mm
最大供电电压3.465 V
最小供电电压3.135 V
标称供电电压3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度12 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE

SST85LD1001T-60-RI-LBTE相似产品对比

SST85LD1001T-60-RI-LBTE SST85LD1002U-60-RI-LBTE SST85LD0512-60-RI-LBTE
描述 IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91, 12 X 24 MM, ROHS COMPLIANT, MO-210, LBGA-91 IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91, 12 X 24 MM, ROHS COMPLIANT, MO-210, LBGA-91 IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91, 12 X 24 MM, ROHS COMPLIANT, MO-210, LBGA-91
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
零件包装代码 BGA BGA BGA
包装说明 LBGA, 12 X 24 MM, ROHS COMPLIANT, MO-210, LBGA-91 12 X 24 MM, ROHS COMPLIANT, MO-210, LBGA-91
针数 91 91 91
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
其他特性 ALSO REQUIRES 5 V SUPPLY ALSO REQUIRES 5 V SUPPLY ALSO REQUIRES 5 V SUPPLY
驱动器接口标准 IDE IDE IDE
外部数据总线宽度 16 16 16
主机数据传输速率最大值 30 MBps 30 MBps 17 MBps
主机接口标准 ATA ATA ATA
JESD-30 代码 R-PBGA-B91 R-PBGA-B91 R-PBGA-B91
长度 24 mm 24 mm 24 mm
端子数量 91 91 91
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LBGA LBGA LBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm
最大供电电压 3.465 V 3.465 V 3.465 V
最小供电电压 3.135 V 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL BALL
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40
宽度 12 mm 12 mm 12 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型 SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE
厂商名称 Microchip(微芯科技) - Microchip(微芯科技)

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