Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CZT127

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CZT127: 产品描述SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小610KB，共3页; 制造商Central Semiconductor

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CZT127概述

SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

CZT127规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
包装说明	POWER223, 3 PIN
针数	3
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	5 A
集电极-发射极最大电压	100 V
配置	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)	1000
JESD-30 代码	R-PDSO-G4
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	4
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	2 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	4 MHz
Base Number Matches	1

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CZT122 NPN

CZT127 PNP

SURFACE MOUNT

COMPLEMENTARY SILICON

POWER DARLINGTON TRANSISTORS

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT122, CZT127

types are Complementary Silicon Power Darlington

Transistors manufactured in a surface mount package

designed for low speed switching and amplifier

applications.

MARKING: FULL PART NUMBER

SOT-223 CASE

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C)

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Continuous Collector Current

Peak Collector Current

Continuous Base Current

Power Dissipation

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

ICM

TJ, Tstg

100

5.0

8.0

120

2.0

-65 to +150

62.5

UNITS

°C

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS:

(TA=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

ICEO

ICBO

IEBO

BVCEO

VCE(SAT)

VBE(ON)

hFE

Cob

VCE=50V

VCB=100V

VEB=5.0V

IC=30mA

IC=3.0A,

IC=5.0A,

IB=12mA

IB=20mA

IC=3.0A

IC=500mA

1000

4.0

100

MAX

500

200

2.0

4.0

2.5

UNITS

µA

VCE=3.0V,

VCE=3.0V, IC=3.0A

VCE=4.0V, IC=3.0A, f=1.0MHz

VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz (CZT122)

VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz (CZT127)

MHz

200

300

R4 (1-March 2010)

CZT127相似产品对比

	CZT127	CZT122_10	CZT122
描述	SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS	SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS	SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
是否无铅	含铅	-	含铅
是否Rohs认证	不符合	-	不符合
包装说明	POWER223, 3 PIN	-	POWER223, 3 PIN
针数	3	-	3
Reach Compliance Code	_compli	-	_compli
ECCN代码	EAR99	-	EAR99
外壳连接	COLLECTOR	-	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	5 A	-	5 A
集电极-发射极最大电压	100 V	-	100 V
配置	DARLINGTON	-	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)	1000	-	1000
JESD-30 代码	R-PDSO-G4	-	R-PDSO-G4
JESD-609代码	e0	-	e0
元件数量	1	-	1
端子数量	4	-	4
最高工作温度	150 °C	-	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP	-	NPN
最大功率耗散 (Abs)	2 W	-	2 W
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified
表面贴装	YES	-	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	-	GULL WING
端子位置	DUAL	-	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	-	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	-	SILICON
标称过渡频率 (fT)	4 MHz	-	4 MHz
Base Number Matches	1	-	1

推荐资源

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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