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CTLDM7002A-M621

产品描述SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小617KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CTLDM7002A-M621概述

SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET

CTLDM7002A-M621规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6
针数6
制造商包装代码CASE TLM621
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)0.28 A
最大漏源导通电阻2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)7 pF
JESD-30 代码R-PDSO-N6
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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CTLDM7002A-M621
SURFACE MOUNT
N-CHANNEL
ENHANCEMENT-MODE
SILICON MOSFET
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR
CTLDM7002A-M621 is a Silicon N-Channel
Enhancement-mode MOSFET in a small, thermally
efficient, TLM™ 2x1mm package.
MARKING CODE: CP
TLM621 CASE
• Device is
Halogen Free
by design
FEATURES:
Low rDS(ON)
Low VDS(ON)
Low Threshold Voltage
Fast Switching
Logic Level Compatible
Small TLM™ 2x1mm Package
UNITS
V
V
V
mA
mA
A
A
W
°C
°C/W
APPLICATIONS:
• Load/Power Switches
• Power Supply Converter Circuits
• Battery Powered Portable Equipment
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Drain-Source Voltage
Drain-Gate Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Continuous Source Current (Body Diode)
Maximum Pulsed Drain Current
Maximum Pulsed Source Current
Power Dissipation (Note 1)
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance (Note 1)
SYMBOL
VDS
VDG
VGS
ID
IS
IDM
ISM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
60
60
40
280
280
1.5
1.5
0.9
-65 to +150
139
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
IGSSF, IGSSR
IDSS
IDSS
ID(ON)
BVDSS
VGS(th)
VDS(ON)
VDS(ON)
VSD
VGS=20V, VDS=0
VDS=60V, VGS=0
VDS=60V, VGS=0, TJ=125°C
VGS=10V, VDS
=10V
VGS=0, ID=10μA
VDS=VGS, ID=250μA
VGS=10V, ID=500mA
VGS=5.0V, ID=50mA
VGS=0, IS=400mA
33mm
2.
MAX
100
1.0
500
UNITS
nA
μA
μA
mA
V
500
60
1.0
2.5
1.0
0.15
1.2
V
V
V
V
Notes: (1) FR-4 Epoxy PCB with copper mounting pad area of
R2 (17-February 2010)

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