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CSDD-12N

产品描述SURFACE MOUNT SILICON CONTROLLED RECTIFIER 12 AMP, 600 THRU 800 VOLTS
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小407KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CSDD-12N概述

SURFACE MOUNT SILICON CONTROLLED RECTIFIER 12 AMP, 600 THRU 800 VOLTS

CSDD-12N规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码D2PAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Code_compli
外壳连接ANODE
配置SINGLE
最大直流栅极触发电流15 mA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大均方根通态电流12 A
断态重复峰值电压800 V
重复峰值反向电压800 V
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
触发设备类型SCR
Base Number Matches1

CSDD-12N相似产品对比

CSDD-12N CSDD-12M CSDD-12M_10
描述 SURFACE MOUNT SILICON CONTROLLED RECTIFIER 12 AMP, 600 THRU 800 VOLTS SURFACE MOUNT SILICON CONTROLLED RECTIFIER 12 AMP, 600 THRU 800 VOLTS SURFACE MOUNT SILICON CONTROLLED RECTIFIER 12 AMP, 600 THRU 800 VOLTS
是否无铅 含铅 含铅 -
是否Rohs认证 不符合 不符合 -
零件包装代码 D2PAK D2PAK -
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 -
针数 3 3 -
Reach Compliance Code _compli _compli -
外壳连接 ANODE ANODE -
配置 SINGLE SINGLE -
最大直流栅极触发电流 15 mA 15 mA -
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 -
JESD-609代码 e0 e0 -
元件数量 1 1 -
端子数量 2 2 -
最高工作温度 125 °C 125 °C -
最低工作温度 -40 °C -40 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
最大均方根通态电流 12 A 12 A -
断态重复峰值电压 800 V 600 V -
重复峰值反向电压 800 V 600 V -
表面贴装 YES YES -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子形式 GULL WING GULL WING -
端子位置 SINGLE SINGLE -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
触发设备类型 SCR SCR -
Base Number Matches 1 1 -

 
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