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RU3B(Z)

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1.1A, 800V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小58KB,共2页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
标准
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RU3B(Z)概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1.1A, 800V V(RRM),

RU3B(Z)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.5 V
最大非重复峰值正向电流20 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流1.1 A
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向恢复时间0.1 µs
表面贴装NO

RU3B(Z)文档预览

BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
RU3YX(Z) --- RU3C(Z)
VOLTAGE RANGE: 100--- 1000 V
CURRENT: 1.1 - 2.0 A
HIGH EFFICIENCY RECTIFIER
Low cost
Diffused junction
Low leakage
Low forward voltage drop
Easily cleaned with freon, alcohol, lsopropand and
similar solvents
The plastic material carries U/L recognition 94V-0
DO - 15B
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-15B, molded plastic
Terminals: Axial leads,solderable per
MIL-STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.024 ounces, 0.68 grams
Mounting: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
RU3YX
Maximum peak repetitive reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
9.5mm lead length,
Peak forw ard surge current
10ms single half-sine-w ave
superimplsed on rated load
@T
J
=125
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ I
F
=I
F(AV)
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
Maximum reverse recovery time
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE: 1.Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A
2. Measured at 1.0MH
Z
and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.
3. Thermal resistance junction to ambient.
RU3
400
280
400
1.5
RU3A
600
420
600
RU3B
800
560
800
1.1
RU3C
1000
700
1000
1.5
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
100
70
100
2.0
@T
A
=75
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JL
T
J
T
STG
50.0
20.0
A
0.95
1.5
10.0
2.5
V
A
@T
A
=25
@T
A
=100
(Note1)
(Note2)
(Note3)
300.0
50
50
12
400.0
100
30
ns
pF
/W
- 55 ----- + 150
- 55 ----- + 150
www.galaxycn.com
Document Number 0262045
BL
GALAXY ELECTRICAL
1
.
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES
RU3YX(Z)---RU3C(Z)
FIG.1 -- TEST CIRCUIT DIAGRAM AND REVERSE RECOVERY TIME CHARACTERISTIC
50
N 1.
10
N 1.
t
rr
+0.5A
D.U.T.
0
(+)
25VDC
(approx)
(-)
PULSE
GENERATOR
(NOTE2)
1
NONIN-
DUCTIVE
OSCILLOSCOPE
(NOTE1)
-0.25A
-1.0A
1cm
NOTES:1.RISE TIME = 7ns MAX.INPUT IMPEDANCE =1M . 22pF.
JJJJ
2.RISE TIME =10ns MAX.SOURCE IMPEDANCE=50 .
SET TIM BASE FOR 10/20 ns/cm
E
FIG.2 -- TYPICAL FORWARD CHARACTERISTIC
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT
FIG.3 -- FORWARD DERATING CURVE
AVERAGE FORWARD RECTIFIED CURRENT
AMPERES
2.0
RU3YX
10
RU3C
RU3YX
1.5
RU3,RU3A,RU3C
1.0
1.0
AMPERES
RU3B
RU3B
Single Phase
Half Wave 60Hz
Resistive or
Inductive Load
0.1
T
J
=25
Pulse W idth=300
µ
S
0.5
RU3,RU3A
0.01
0
25
50
75
100
125
150
0
0.4 0.8 1.2 1.6
2.0 2.4 2.8
3.2
3.6 4
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, VOLTS
AMBIENT TEMPERATURE,
FIG.4 -- PEAK FORWARD SURGE CURRENT
PEAK FORWARD SURGE CURRENT
AMPERES
50
FIG.5--TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
JUNCTION CAPACITANCE,pF
8.3ms Single Half
Sine-Wave
200
100
60
40
20
10
RU3YX\RU3
40
30
RU3YX
RU3A\RU3B
\RU3C
20
4
    
T
J
=25
2
1
0.1 0.2
0.4
1
2
4
10
20
40
100
10
RU3,RU3A,RU3B,RU3C
0
1
5
10
50
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
REVERSE VOLTAGE,VOLTS
www.galaxycn.com
Document Number 0262045
BL
GALAXY ELECTRICAL
2
.

RU3B(Z)相似产品对比

RU3B(Z) RU3C(Z) RU3A(Z)
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 1.1A, 800V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 1.5A, 600V V(RRM),
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.5 V 2.5 V 1.5 V
最大非重复峰值正向电流 20 A 20 A 20 A
元件数量 1 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 1.1 A 1.5 A 1.5 A
最大重复峰值反向电压 800 V 1000 V 600 V
最大反向恢复时间 0.1 µs 0.1 µs 0.1 µs
表面贴装 NO NO NO
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