500 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | R-PDIP-T8 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | LOW IMPEDANCE |
最小击穿电压 | 16.7 V |
最大钳位电压 | 33 V |
配置 | COMPLEX |
最小二极管电容 | 300 pF |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码 | e0 |
湿度敏感等级 | 1 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 800 W |
元件数量 | 4 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 245 |
极性 | BIDIRECTIONAL |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 15 V |
最大反向电流 | 2 µA |
表面贴装 | NO |
技术 | AVALANCHE |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 |
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