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HY62256AR1-70

产品描述Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP1-28
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文件大小816KB,共14页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY62256AR1-70概述

Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP1-28

HY62256AR1-70规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP1-R, TSSOP28,.53,22
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间70 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G28
JESD-609代码e0
长度11.8 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1-R
封装等效代码TSSOP28,.53,22
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
反向引出线YES
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.001 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.55 mm
端子位置DUAL
宽度8 mm

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Data Sheet-sram/62256ald1
http://www.hea.com/hean2/sram/62256ald1.htm
HY62256A-(I) Series
32Kx8bit CMOS SRAM
Description
Features
The
Fully static operation and
HY62256A/HY62256A-I
Tri-state outputs
is a high-speed, low
TTL compatible inputs
power and 32,786 x 8-bits
and outputs
CMOS Static Random
Low power consumption
Access Memory
-2.0V(min.) data
fabricated using
retention
Hyundai's high
Standard pin
performance CMOS
configuration
process technology. The
-28 pin 600 mil PDIP
HY62256A/HY62256A-I
-28 pin 330 mil SOP
has a data retention mode
-28 pin 8x13.4 mm
that guarantees data to
TSOP-1
remain valid at the
(standard and reversed)
minimum power supply
voltage of 2.0 volt. Using
the CMOS technology,
supply voltages from 2.0
to 5.5 volt has little effect
on supply current in the
data retention mode. The
HY62256A/HY62256A-I
is suitable for use in low
voltage operation and
battery back-up
application.
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