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CMUT3906

产品描述SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小349KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CMUT3906概述

SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

CMUT3906规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-F3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.25 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
最大关闭时间(toff)300 ns
最大开启时间(吨)70 ns

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CMUT3904 NPN
CMUT3906 PNP
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
SURFACE MOUNT
COMPLEMENTARY
SILICON TRANSISTORS
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUT3904,
CMUT3906 types are complementary silicon transistors
manufactured by the epitaxial planar process, epoxy
molded in an ULTRAmini™ surface mount package,
designed for small signal general purpose amplifier and
switching applications.
MARKING CODES: CMUT3904: AC1
CMUT3906: AC2
SOT-523 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
CMUT3904
60
40
6.0
200
250
-65 to +150
500
CMUT3906
40
40
5.0
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
CMUT3904
SYMBOL
ICEV
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
TEST CONDITIONS
VCE=30V, VEB=3.0V
IC=10μA
IC=1.0mA
IE=10μA
IC=10mA,
IC=50mA,
IC=10mA,
IC=50mA,
IB=1.0mA
IB=5.0mA
IB=1.0mA
IB=5.0mA
MIN
-
60
40
6.0
-
-
0.65
-
40
70
100
60
30
MAX
50
-
-
-
0.20
0.30
0.85
0.95
-
-
300
-
-
CMUT3906
MIN
-
40
40
5.0
-
-
0.65
-
-
-
100
60
30
MAX
50
-
-
-
0.25
0.40
0.85
0.95
60
80
300
-
-
UNITS
nA
V
V
V
V
V
V
V
VCE=1.0V, IC=0.1mA
VCE=1.0V, IC=1.0mA
VCE=1.0V, IC=10mA
VCE=1.0V, IC=50mA
VCE=1.0V, IC=100mA
R2 (9-February 2010)

CMUT3906相似产品对比

CMUT3906 CMUT3904
描述 SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数 3 3
Reach Compliance Code _compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.2 A 0.2 A
集电极-发射极最大电压 40 V 40 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30 30
JESD-30 代码 R-PDSO-F3 R-PDSO-F3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.25 W 0.25 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 300 MHz
最大关闭时间(toff) 300 ns 250 ns
最大开启时间(吨) 70 ns 70 ns

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