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CMXSH-3_10: 产品描述SURFACE MOUNT TRIPLE ISOLATED SILICON SCHOTTKY DIODES; 文件大小560KB，共3页; 制造商Central Semiconductor

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CMXSH-3_10概述

SURFACE MOUNT TRIPLE ISOLATED SILICON SCHOTTKY DIODES

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CMXSH-3

SURFACE MOUNT

TRIPLE ISOLATED

SILICON SCHOTTKY DIODES

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMXSH-3 type

contains three (3) Isolated Schottky Silicon Switching

Diodes, manufactured by the epitaxial planar process,

epoxy molded in a SUPERmini™ surface mount

package, and designed for applications requiring low

forward voltage drop.

MARKING CODE: XH3

SOT-26 CASE

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C)

Peak Repetitive Reverse Voltage

Continuous Forward Current

Peak Repetitive Forward Current

Peak Forward Surge Current, tp=10ms

Power Dissipation

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

SYMBOL

VRRM

IFRM

IFSM

TJ, Tstg

100

350

750

350

-65 to +150

357

UNITS

°C

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE:

(TA=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

BVR

trr

VR=25V

VR=25V, TA=100°C

IR=100μA

IF=2.0mA

IF=15mA

IF=100mA

VR=1.0V, f=1.0MHz

IF=IR=10mA, Irr=1.0mA, RL=100Ω

0.29

0.40

0.74

7.0

5.0

0.33

0.45

1.00

500

100

UNITS

μA

R5 (12-February 2010)

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