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CMUT5088E

产品描述ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小354KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CMUT5088E概述

ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

CMUT5088E规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码R-PDSO-F3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

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CMUT5087E PNP
CMUT5088E NPN
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
COMPLEMENTARY
SILICON TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUT5087E and
CMUT5088E are Silicon transistors in an ULTRAmini™
surface mount package with enhanced specifications
designed for applications requiring high gain and low
noise.
MARKING CODES: CMUT5087E: U87
CMUT5088E: U88
SOT-523 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
50
50
5.0
100
350
-65 to +150
357
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
TEST CONDITIONS
VCB=20V
VEB=3.0V
IC=100µA
IC=1.0mA
IE=100µA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=100mA, IB=10mA
IC=10mA, IB=1.0mA
VCE=5.0V, IC=0.1mA
VCE=5.0V, IC=1.0mA
VCE=5.0V, IC=10mA
VCE=5.0V, IC=100mA
VCE=5.0V, IC=500µA, f=20MHz
VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz
VBE=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
VCE=5.0V,
VCE=5.0V,
IC=1.0mA, f=1.0kHz
IC=100μA, RS=10kΩ f=10Hz to 15.7kHz
MIN
TYP
NPN PNP
MAX
50
50
50
50
5.0
135
65
8.7
45
110
700
430
435
430
125
150
105
7.5
50
225
700
390
380
350
75
4.0
15
350
3.0
1400
dB
MHz
pF
pF
100
400
800
900
UNITS
nA
nA
V
V
V
mV
mV
mV
BVEBO
VCE(SAT)
♦♦
VCE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
♦♦
hFE
fT
Cob
Cib
hfe
NF
300
300
300
50
100
Enhanced specification
♦♦
Additional Enhanced specification
R2 (9-February 2010)

CMUT5088E相似产品对比

CMUT5088E CMUT5087E CMUT5087E_10
描述 ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
是否无铅 含铅 含铅 -
是否Rohs认证 不符合 不符合 -
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor -
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 -
针数 3 3 -
Reach Compliance Code _compli _compli -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE -
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A -
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V -
配置 SINGLE SINGLE -
最小直流电流增益 (hFE) 50 50 -
JESD-30 代码 R-PDSO-F3 R-PDSO-F3 -
JESD-609代码 e0 e0 -
元件数量 1 1 -
端子数量 3 3 -
最高工作温度 150 °C 150 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
极性/信道类型 NPN PNP -
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W 0.35 W -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 YES YES -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子形式 FLAT FLAT -
端子位置 DUAL DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz -
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