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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CMUT3410
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CMUT3410

产品描述SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY LOW VCE(SAT) SILICON TRANSISTORS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小347KB，共3页
制造商Central Semiconductor
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CMUT3410概述

SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY LOW VCE(SAT) SILICON TRANSISTORS

CMUT3410规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码R-PDSO-F3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

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CMUT3410 NPN
CMUT7410 PNP
SURFACE MOUNT
COMPLEMENTARY LOW VCE(SAT)
SILICON TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUT3410, and
CMUT7410, are low VCE(SAT) silicon transistors in
an ULTRAmini™ surface mount package designed for
small signal general purpose amplifier and switching
applications, requiring low collector emitter saturation
voltage.
MARKING CODES: CMUT3410: C43
CMUT7410: C47
SOT-523 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
V
A
A
mW
°C
°C/W
40
25
6.0
1.0
1.5
250
-65 to +150
500
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(ON)
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
Cob
TEST CONDITIONS
VCB=40V
VEB=6.0V
IC=100µA
IC=10mA
IE=100µA
IC=50mA, IB=5.0mA
IC=100mA, IB=10mA
IC=200mA, IB=20mA
IC=500mA, IB=50mA
IC=800mA, IB=80mA
IC=1.0A, IB=100mA
IC=800mA, IB=80mA
VCE=1.0V, IC=10mA
VCE=1.0V, IC=10mA
VCE=1.0V, IC=100mA
VCE=1.0V, IC=500mA
VCE=1.0V, IC=1.0A
VCE=10V, IC=50mA, f=100MHz
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz (CMUT3410)
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz (CMUT7410)
MIN
TYP
NPN
PNP
MAX
100
100
40
25
6.0
20
35
75
130
200
250
25
40
80
150
220
275
50
75
150
250
400
450
1.1
0.9
300
125
75
10
15
UNITS
nA
nA
V
V
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
100
100
100
50
100
MHz
pF
pF
R1 (9-February 2010)

CMUT3410相似产品对比

CMUT3410 CMUT7410 CMUT3410_10
描述 SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY LOW VCE(SAT) SILICON TRANSISTORS SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY LOW VCE(SAT) SILICON TRANSISTORS SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY LOW VCE(SAT) SILICON TRANSISTORS
是否无铅 含铅 含铅 -
是否Rohs认证 不符合 不符合 -
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor -
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 -
针数 3 3 -
Reach Compliance Code _compli _compli -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A -
集电极-发射极最大电压 25 V 25 V -
配置 SINGLE SINGLE -
最小直流电流增益 (hFE) 50 50 -
JESD-30 代码 R-PDSO-F3 R-PDSO-F3 -
JESD-609代码 e0 e0 -
元件数量 1 1 -
端子数量 3 3 -
最高工作温度 150 °C 150 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
极性/信道类型 NPN PNP -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 YES YES -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子形式 FLAT FLAT -
端子位置 DUAL DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz -

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器件捷径:   E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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