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CMST5088: 产品描述SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小410KB，共3页; 制造商Central Semiconductor

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CMST5088概述

SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR

CMST5088规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)	0.05 A
集电极-发射极最大电压	30 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	300
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.25 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	50 MHz
Base Number Matches	1

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CMST5088

CMST5089

SURFACE MOUNT

NPN SILICON TRANSISTOR

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMST5088,

CMST5089 types are NPN silicon transistors

manufactured by the epitaxial planar process, epoxy

molded in a SUPERmini™ surface mount package,

designed for applications requiring high gain and low

noise.

MARKING CODES: CMST5088: 1QC

CMST5089: 1RC

SOT-323 CASE

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C)

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Continuous Collector Current

Power Dissipation

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

TJ, Tstg

CMST5088

CMST5089

UNITS

°C

°C/W

4.5

275

-65 to +150

455

ELECTRICAL CHARACTERISTICS:

(TA=25°C unless otherwise noted)

CMST5088

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

MAX

ICBO

IEBO

BVCBO

BVCEO

BVEBO

VCE(SAT)

VBE(SAT)

hFE

Cob

Cib

hfe

VCB=20V

VCB=15V

VEB=3.0V

VEB=4.5V

IC=100μA

IC=1.0mA

IE=100μA

IC=10mA, IB=1.0mA

VCE=5.0V, IC=0.1mA

VCE=5.0V, IC=1.0mA

VCE=5.0V, IC=10mA

VCE=5.0V, IC=500μA, f=20MHz

VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz

VBE=0.5V, IC=0, f=1.0MHz

VCE=5.0V, IC=1.0mA, f=1.0kHz

VCE=5.0V, IC=100μA, RS=10kΩ

f=10Hz to 15.7kHz

4.5

300

350

300

350

0.5

0.8

900

4.0

1400

3.0

CMST5089

MIN

MAX

4.5

400

450

400

450

100

0.5

0.8

1200

4.0

1800

2.0

UNITS

MHz

R4 (9-February 2010)

CMST5088相似产品对比

	CMST5088	CMST5088_10	CMST5089
描述	SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR	SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR	SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR
是否无铅	含铅	-	含铅
是否Rohs认证	不符合	-	不符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	-	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3	-	3
Reach Compliance Code	_compli	-	_compli
ECCN代码	EAR99	-	EAR99
其他特性	LOW NOISE	-	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)	0.05 A	-	0.05 A
集电极-发射极最大电压	30 V	-	25 V
配置	SINGLE	-	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	300	-	400
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	-	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e0	-	e0
元件数量	1	-	1
端子数量	3	-	3
最高工作温度	150 °C	-	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN	-	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.25 W	-	0.25 W
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified
表面贴装	YES	-	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	-	GULL WING
端子位置	DUAL	-	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER	-	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	-	SILICON
标称过渡频率 (fT)	50 MHz	-	50 MHz

推荐资源

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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