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CMSSH-3E

产品描述ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY DIODES
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小678KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CMSSH-3E概述

ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY DIODES

CMSSH-3E规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.33 V
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流0.75 A
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.25 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压40 V
最大反向恢复时间0.005 µs
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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CMSSH-3E
CMSSH-3AE
CMSSH-3CE
CMSSH-3SE
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
SILICON SCHOTTKY DIODES
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMSSH-3E
Series types are Enhanced Versions of the
CMSSH-3 Series of Silicon Schottky Diodes in an
SOT-323 Surface Mount Package.
FEATURED ENHANCED SPECIFICATIONS:
I
F
from 100mA max to 200mA MAX
SOT-323 CASE
CMSSH-3E:
CMSSH-3AE:
CMSSH-3CE:
CMSSH-3SE:
SINGLE
DUAL, COMMON ANODE
DUAL, COMMON CATHODE
DUAL, IN SERIES
B
VR
from 30V min to 40V MIN
V
F
from 1.0V max to 0.8V MAX
CODE:
CODE:
CODE:
CODE:
31E
3AE
3CE
3SE
UNITS
40
200
350
750
250
-65 to +150
500
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C/W
MARKING
MARKING
MARKING
MARKING
SYMBOL
VRRM
IF
IFRM
IFSM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
Continuous Forward Current
Power Dissipation
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Peak Repetitive Reverse Voltage
Peak Repetitive Forward Current
Peak Forward Surge Current, tp=10ms
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
IR
VR=25V
VR=25V, TA=100°C
IR=100µA
IF=2.0mA
IF=15mA
IF=100mA
IF=200mA
VR=1.0V, f=1.0MHz
IF=IR=10mA, Irr=1.0mA, RL=100Ω
40
90
25
50
0.29
0.37
0.61
0.65
7.0
5.0
0.33
0.42
0.80
1.0
500
100
IR
UNITS
nA
μA
V
V
V
V
V
pF
ns
BVR
VF
♦♦
VF
CT
trr
VF
VF
Enhanced specification
♦♦
Additional Enhanced specification
R2 (9-February 2010)

CMSSH-3E相似产品对比

CMSSH-3E CMSSH-3AE CMSSH-3E_10 CMSSH-3CE CMSSH-3SE
描述 ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY DIODES ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY DIODES ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY DIODES ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY DIODES ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY DIODES
是否无铅 含铅 含铅 - 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 - 不符合 不符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor - Central Semiconductor Central Semiconductor
包装说明 R-PDSO-G3 SUPERMINI-3 - SUPERMINI-3 SUPERMINI-3
针数 3 3 - 3 3
Reach Compliance Code _compli _compli - _compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99
配置 SINGLE COMMON ANODE, 2 ELEMENTS - COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON - SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.33 V 0.33 V - 0.33 V 0.33 V
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 - R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 e0 - e0 e0
最大非重复峰值正向电流 0.75 A 0.75 A - 0.75 A 0.75 A
元件数量 1 2 - 2 2
端子数量 3 3 - 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C - 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C - -65 °C -65 °C
最大输出电流 0.2 A 0.2 A - 0.2 A 0.2 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大功率耗散 0.25 W 0.25 W - 0.25 W 0.25 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 40 V 40 V - 40 V 40 V
最大反向恢复时间 0.005 µs 0.005 µs - 0.005 µs 0.005 µs
表面贴装 YES YES - YES YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY - SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING - GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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