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CMSD6001C

产品描述0.25 A, 100 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小674KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CMSD6001C概述

0.25 A, 100 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

CMSD6001C规格参数

参数名称属性值
厂商名称Central Semiconductor
包装说明R-PDSO-G3
针数3
制造商包装代码SUPERMINI-3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量2
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.25 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.275 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间3 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

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CMSD6001
CMSD6001A
CMSD6001C
CMSD6001S
SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE
SILICON SWITCHING DIODES
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMSD6001
SERIES are silicon switching diodes manufactured
by the epitaxial planar process, epoxy molded in a
SUPERmini™ surface mount package, designed for
switching applications requiring an extremely low
leakage diode.
SOT-323 CASE
Device is
Halogen Free
by design
CMSD6001:
CMSD6001A:
CMSD6001C:
CMSD6001S:
SINGLE
DUAL, COMMON ANODE
DUAL, COMMON CATHODE
DUAL, IN-SERIES
MARKING
MARKING
MARKING
MARKING
SYMBOL
VR
VRRM
IF
IFRM
IFSM
IFSM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
CODE:
CODE:
CODE:
CODE:
6C1
61A
61C
61S
75
100
250
250
4.0
1.0
275
-65 to +150
455
UNITS
V
V
mA
mA
A
A
mW
°C
°C/W
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Continuous Reverse Voltage
Peak Repetitive Reverse Voltage
Continuous Forward Current
Peak Repetitive Forward Current
Peak Forward Surge Current, tp=1.0μs
Peak Forward Surge Current, tp=1.0s
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
IR
VR=75V
500
BVR
IR=100μA
100
VF
VF
VF
CT
trr
IF=1.0mA
IF=10mA
IF=100mA
VR=0, f=1.0MHz
IR=IF=10mA, Irr=1.0mA, RL=100Ω
0.85
0.95
1.1
2.0
3.0
UNITS
pA
V
V
V
V
pF
μs
R2 (8-February 2010)

CMSD6001C相似产品对比

CMSD6001C CMSD6001 CMSD6001S CMSD6001A
描述 0.25 A, 100 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE 0.25 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.25 A, 100 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE 0.25 A, 100 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
包装说明 R-PDSO-G3 HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SUPERMINI-3 HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SUPERMINI-3 HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SUPERMINI-3
针数 3 3 3 3
制造商包装代码 SUPERMINI-3 SUPERMINI-3 SUPERMINI-3 SUPERMINI-3
Reach Compliance Code compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS SINGLE SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 2 1 2 2
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 0.25 A 0.25 A 0.25 A 0.25 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大功率耗散 0.275 W 0.275 W 0.275 W 0.275 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 100 V 100 V 100 V 100 V
最大反向恢复时间 3 µs 3 µs 3 µs 3 µs
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
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