Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> JANS1N7039CCU1

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JANS1N7039CCU1: 产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 35A, 150V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-1, 3 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小214KB，共20页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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JANS1N7039CCU1概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 35A, 150V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-1, 3 PIN

JANS1N7039CCU1规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
包装说明	HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-1, 3 PIN
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
应用	EFFICIENCY
外壳连接	ISOLATED
配置	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.86 V
JESD-30 代码	R-CBCC-N3
JESD-609代码	e0
最大非重复峰值正向电流	200 A
元件数量	2
相数	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
最大输出电流	35 A
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Qualified
最大重复峰值反向电压	150 V
表面贴装	YES
技术	SCHOTTKY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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The documentation and process conversion

measures necessary to comply with this revision

shall be completed by 5 March 2008.

INCH-POUND

MIL-PRF-19500/737A

5 December 2007

SUPERSEDING

MIL-PRF-19500/737

13 November 2006

PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET

SEMICONDUCTOR DEVICE, DIODE, SILICON, SCHOTTKY, DUAL, CENTER TAP,

TYPES 1N7039CCT1, 1N7039CCU1 AND 1N7047CCT3, JAN, JANTX, JANTXV, AND JANS

This specification is approved for use by all Departments

and Agencies of the Department of Defense.

The requirements for acquiring the product described herein shall consist of

this specification sheet and MIL-PRF-19500.

1. SCOPE

1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for silicon, Schottky dual power rectifier

diodes for use in high frequency switching applications. Four levels of product assurance are provided for each

device type as specified in MIL-PRF-19500.

1.2 Physical dimensions. See figure 1 (TO-254AA), figure 2 (U1), and figure 3 (TO-257AA).

1.3 Maximum ratings. Unless otherwise specified, maximum ratings (TC = +25°C).

Column 1

Column 2

VRWM

Column 3

IO (1)(2)

TC =

+100°C

A dc

Column 4

IFSM (2)

tp = 8.3 ms,

TC = +25°C

A (pk)

180

200

120

Column 5

ΘJC

(2) (3)

°C/W

1.9

1.67

1.85

Column 6

TSTG

and

°C

-65 to

+150

Types

V dc

1N7039CCT1

1N7039CCU1

1N7047CCT3

150

(1) See temperature-current derating curves in figures 4, 5, and 6.

(2) Each leg

(3) See figures 7, 8, and 9.

1.4 Primary electrical characteristics at T = +25°C, unless otherwise indicated.

ΘJC

= 0.95

°C/W

maximum for entire package for 1N7039CCT1; R

ΘJA

= 40°C/W maximum, for each leg;

RΘJC = 0.83

°C/W

maximum for entire package for 1N7039CCU1; R

ΘJC

= 0.95

°C/W

maximum for entire

package for 1N7047CCT3.

Comments, suggestions, or questions on this document should be addressed to Defense Supply Center,

Columbus, ATTN: DSCC-VAC, P.O. Box 3990, Columbus, OH 43218-3990, or emailed to

semiconductor@dscc.dla.mil

. Since contact information can change, you may want to verify the currency of

this address information using the ASSIST Online database at

http://assist.daps.dla.mil

AMSC N/A

FSC 5961

MIL-PRF-19500/737A

2. APPLICABLE DOCUMENTS

2.1 General. The documents listed in this section are specified in sections 3, 4, or 5 of this specification. This

section does not include documents cited in other sections of this specification or recommended for additional

information or as examples. While every effort has been made to ensure the completeness of this list, document

users are cautioned that they must meet all specified requirements of documents cited in sections 3, 4, or 5 of this

specification, whether or not they are listed.

2.2 Government documents.

2.2.1 Specifications, standards, and handbooks. The following specifications, standards, and handbooks form a

part of this document to the extent specified herein. Unless otherwise specified, the issues of these documents are

those cited in the solicitation or contract.

DEPARTMENT OF DEFENSE SPECIFICATIONS

MIL-PRF-19500

Semiconductor Devices, General Specification for.

DEPARTMENT OF DEFENSE STANDARDS

MIL-STD-750

Test Methods for Semiconductor Devices.

(Copies of these documents are available online at

http://assist.daps.dla.mil/quicksearch/

http://assist.daps.dla.mil

or from the Standardization Document Order Desk, 700 Robbins Avenue, Building 4D,

Philadelphia, PA 19111-5094.)

2.3 Order of precedence. In the event of a conflict between the text of this document and the references cited

herein, the text of this document takes precedence. Nothing in this document, however, supersedes applicable laws

and regulations unless a specific exemption has been obtained.

3. REQUIREMENTS

3.1 General. The individual item requirements shall be as specified in MIL-PRF-19500 and as modified herein.

3.2 Qualification. Devices furnished under this specification shall be products that are manufactured by a

manufacturer authorized by the qualifying activity for listing on the applicable qualified manufacturer's list (QML)

before contract award (see 4.2 and 6.3).

3.3 Abbreviations, symbols, and definitions. Abbreviations, symbols, and definitions used herein shall be as

specified in MIL-PRF-19500.

3.4 Interface and physical dimensions. The interface and physical dimensions shall be as specified in

MIL-PRF-19500, and on figures 1, 2, and 3 herein. Methods used for electrical isolation of the terminal feedthroughs

for the TO-254 or TO-257 packages shall employ materials that contain a minimum of 90 percent Al2O3 (ceramic).

3.4.1 Polarity. Polarity and terminal configuration shall be in accordance with figures 1 and 2 herein.

3.4.2 Lead finish and formation. Lead finish shall be solderable in accordance with MIL-STD-750,

MIL-PRF-19500 and herein. Where a choice of finish is desired, it shall be specified in the acquisition document

(see 6.2). When lead formation is performed on TO-254 or TO-257 leads, as a minimum, the vendor shall perform

100 percent hermetic seal in accordance with screen 14 of MIL-PRF-19500 and 100 percent dc testing in

accordance with table I, subgroup 2 herein.

3.5 Electrical performance characteristics. Unless otherwise specified herein, the electrical performance

characteristics are as specified in 1.3, 1.4, and table I herein.

3.6 Electrical test requirements. The electrical test requirements shall be as specified in tables I and II herein.

JANS1N7039CCU1相似产品对比

	JANS1N7039CCU1	JANTX1N7039CCU1	JANTX1N7039CCT1	JANTXV1N7039CCU1	JANTX1N7047CCT3	JANS1N7047CCT3	JAN1N7039CCU1
描述	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 35A, 150V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-1, 3 PIN	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 35A, 150V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-1, 3 PIN	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 35A, 150V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 35A, 150V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-1, 3 PIN	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 16A, 150V V(RRM), Silicon, TO-257AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 16A, 150V V(RRM), Silicon, TO-257AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3	Rectifier Diode, Schottky, 35A, 150V V(RRM)
Reach Compliance Code	unknown	compli	compli	compli	unknown	unknown	compli
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.86 V	0.86 V	0.86 V	0.86 V	1.13 V	1.13 V	0.86 V
最大非重复峰值正向电流	200 A	200 A	180 A	200 A	120 A	120 A	200 A
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最大输出电流	35 A	35 A	35 A	35 A	8 A	8 A	35 A
最大重复峰值反向电压	150 V	150 V	150 V	150 V	150 V	150 V	150 V
表面贴装	YES	YES	NO	YES	NO	NO	YES
技术	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	-
厂商名称	Infineon(英飞凌)	-	-	-	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
包装说明	HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-1, 3 PIN	R-CBCC-N3	HERMETIC SEALED PACKAGE-3	R-CBCC-N3	HERMETIC SEALED PACKAGE-3	HERMETIC SEALED PACKAGE-3	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99	-
其他特性	HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS	HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS	HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS	HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	-
应用	EFFICIENCY	EFFICIENCY	EFFICIENCY	EFFICIENCY	EFFICIENCY	EFFICIENCY	-
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	-
配置	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	-
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	-
JESD-30 代码	R-CBCC-N3	R-CBCC-N3	S-XSFM-P3	R-CBCC-N3	R-XSFM-P3	R-XSFM-P3	-
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	-
元件数量	2	2	2	2	2	2	-
相数	1	1	1	1	1	1	-
端子数量	3	3	3	3	3	3	-
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	UNSPECIFIED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	FLANGE MOUNT	CHIP CARRIER	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
认证状态	Qualified	Qualified	Qualified	Qualified	Qualified	Qualified	-
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	PIN/PEG	NO LEAD	PIN/PEG	PIN/PEG	-
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	SINGLE	BOTTOM	SINGLE	SINGLE	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-

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