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CMPT3906G

产品描述RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小335KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CMPT3906G概述

RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

射频小信号晶体管

CMPT3906G规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
最大关闭时间(toff)300 ns
最大开启时间(吨)70 ns

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CMPT3904 CMPT3904G*
CMPT3906 CMPT3906G*
NPN
PNP
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
SURFACE MOUNT
COMPLEMENTARY
SILICON TRANSISTORS
DESCRIPTION:
These CENTRAL SEMICONDUCTOR devices are
complementary silicon transistors manufactured by the
epitaxial planar process, epoxy molded in a surface
mount package, designed for small signal general
purpose amplifier and switching applications.
SOT-23 CASE
*
Device is
Halogen Free
by design
MARKING CODES: CMPT3904:
CMPT3906:
CMPT3904G*:
CMPT3906G*:
C1A
C2A
CG1
CG2
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
CMPT3904
CMPT3906
CMPT3904G* CMPT3906G*
60
40
40
6.0
200
350
-65 to +150
357
CMPT3906
CMPT3906G*
MIN
MAX
-
50
-
40
40
5.0
-
-
0.65
-
60
80
100
60
30
50
-
-
-
0.25
0.40
0.85
0.95
-
-
300
-
-
40
5.0
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
ICEV
VCE=30V, VEB=3.0V
IBL
VCE=30V, VEB=3.0V
BVCBO
IC=10μA
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
IC=1.0mA
IE=10μA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
IC=10mA,
IC=50mA,
IB=1.0mA
IB=5.0mA
IC=0.1mA
CMPT3904
CMPT3904G*
MIN
MAX
-
50
-
60
40
6.0
-
-
0.65
-
40
70
100
60
30
50
-
-
-
0.20
0.30
0.85
0.95
-
-
300
-
-
UNITS
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
VCE=1.0V,
VCE=1.0V,
IC=1.0mA
VCE=1.0V, IC=10mA
VCE=1.0V, IC=50mA
VCE=1.0V, IC=100mA
R7 (1-February 2010)

CMPT3906G相似产品对比

CMPT3906G CMPT3904_10 CMPT3904G CMPT3906
描述 RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
是否无铅 含铅 - 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 - 符合 不符合
厂商名称 Central Semiconductor - Central Semiconductor Central Semiconductor
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 - 3 3
Reach Compliance Code not_compliant - compli unknown
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.2 A - 0.2 A 0.2 A
集电极-发射极最大电压 40 V - 40 V 40 V
配置 SINGLE - SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30 - 30 30
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 - R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 - e3 e0
元件数量 1 - 1 1
端子数量 3 - 3 3
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP - NPN PNP
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES - YES YES
端子面层 TIN LEAD - Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING - GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz - 300 MHz 250 MHz
最大关闭时间(toff) 300 ns - 250 ns 300 ns
最大开启时间(吨) 70 ns - 70 ns 70 ns
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