SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Central Semiconductor |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | _compli |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
最大集电极电流 (IC) | 0.6 A |
集电极-发射极最大电压 | 40 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 20 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 0.35 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 200 MHz |
最大关闭时间(toff) | 255 ns |
最大开启时间(吨) | 35 ns |
Base Number Matches | 1 |
CMPT4403 | CMPT4401_10 | CMPT4401 | |
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描述 | SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS | SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS | SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
是否无铅 | 含铅 | - | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 |
厂商名称 | Central Semiconductor | - | Central Semiconductor |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | - | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数 | 3 | - | 3 |
Reach Compliance Code | _compli | - | _compli |
ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
Is Samacsys | N | - | N |
最大集电极电流 (IC) | 0.6 A | - | 0.6 A |
集电极-发射极最大电压 | 40 V | - | 40 V |
配置 | SINGLE | - | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 20 | - | 40 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | - | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e0 | - | e0 |
元件数量 | 1 | - | 1 |
端子数量 | 3 | - | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | - | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | PNP | - | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 0.35 W | - | 0.35 W |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
表面贴装 | YES | - | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING | - | GULL WING |
端子位置 | DUAL | - | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | - | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 200 MHz | - | 250 MHz |
最大关闭时间(toff) | 255 ns | - | 255 ns |
最大开启时间(吨) | 35 ns | - | 35 ns |
Base Number Matches | 1 | - | 1 |
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