电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SFT13GHB0G

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 150V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小353KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

SFT13GHB0G在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
SFT13GHB0G - - 点击查看 点击购买

SFT13GHB0G概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 150V V(RRM), Silicon,

SFT13GHB0G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压150 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

文档预览

下载PDF文档
SFT11G - SFT18G
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
1A, 50V - 600V Glass Passivated Super Fast Rectifiers
FEATURES
- High efficiency, low VF
- High current capability
- High reliability
- High surge current capability
- Low power loss
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21
MECHANICAL DATA
Case:
TS-1
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Part no. with suffix "H" means AEC-Q101 qualified
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Terminal:
Pure tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 2 whisker test
Weight:
0.2g (approximately)
TS-1
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@1A
Maximum reverse current @ rated V
R
Maximum reverse recovery time (Note 2)
Typical junction capacitance (Note 3)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle
Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.
T
J
=25°C
T
J
=125°C
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θJA
T
J
T
STG
20
100
- 55 to +150
- 55 to +150
0.95
5
100
35
10
SFT
11G
50
35
50
SFT
12G
100
70
100
SFT
13G
150
105
150
SFT
14G
200
140
200
1
30
1.3
1.7
SFT
15G
300
210
300
SFT
16G
400
280
400
SFT
17G
500
350
500
SFT
18G
600
420
600
UNIT
V
V
V
A
A
V
μA
ns
pF
°C/W
°C
°C
Document Number: DS_D1312029
Version: I15
基于NIMultisim10的有源滤波器的设计与仿真
本帖最后由 dontium 于 2015-1-23 12:40 编辑 基于NIMultisim10的有源滤波器的设计与仿真 ...
linda_xia 模拟与混合信号
强仔教你玩PIC32MZ之IO的配置
本帖最后由 强仔00001 于 2014-8-16 01:02 编辑 本人现在接触PIC32MZ入门开发套件有一段时间了,现在我分享开发经验吧。开发套件:PIC32MZ入门套件 开发的软件平台:MPLAB X IDE, M ......
强仔00001 Microchip MCU
从排队论谈谈IO路径的优化和评价
转自 http://mp.weixin.qq.com/s?timestamp=1465007819&src=3&ver=1&signature=eR4zHI4X-fZYsYLjRx3EUbu2EmmLXRSG1qmb2oXpoWkvBWI7TsZYb2IVWDh5PcSr7Xj6Lh7BIoYpN3AipklMc8l9FPaqGtjy4LcuiT2YfW ......
白丁 FPGA/CPLD
EEWORLD大学堂----[高精度实验室] 电机驱动 : 无刷直流电机驱动器
电机驱动 : 无刷直流电机驱动器:https://training.eeworld.com.cn/course/5605...
hi5 模拟电子
fpga资源中的block ram和分布式ram的区别
区别之1bram 的输出需要时钟,dram在给出地址后既可输出数据。区别之2dram使用更灵活方便些区别之3bram有较大的存储空间,dram浪费LUT资源 ----------------------------------------------- ......
eeleader FPGA/CPLD
一个485与FIFO的问题
大家都觉得FIFO好用,本人也觉得是!但是突然有一个问题,就是在RS485通讯的情况下,发送完毕后什么时候去改变485的通讯方向? 一般用51的时候,有一个TI发送完毕中断,这时可以去改变RE的状 ......
heich_tech 微控制器 MCU

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 431  2261  2403  2183  935  33  32  25  21  9 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved