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TN3019

产品描述1000mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237, TO-237, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小719KB,共9页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数

TN3019概述

1000mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237, TO-237, 3 PIN

TN3019规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH CURRENT DRIVER
最大集电极电流 (IC)1 A
基于收集器的最大容量12 pF
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-237AA
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值2 W
最大功率耗散 (Abs)2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
VCEsat-Max0.5 V
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