2SD1865TV4/Q,2SD1865TV4/Q pdf中文资料,2SD1865TV4/Q引脚图,2SD1865TV4/Q电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SD1865TV4/Q

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2SD1865TV4/Q: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小102KB，共2页; 制造商ROHM(罗姆半导体); 官网地址https://www.rohm.com/

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2SD1865TV4/Q概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

2SD1865TV4/Q规格参数

参数名称	属性值
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	1 A
基于收集器的最大容量	30 pF
集电极-发射极最大电压	15 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	120
JESD-30 代码	R-PSIP-T3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	150 MHz
VCEsat-Max	0.4 V
Base Number Matches	1

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