CMPSH-3: 产品描述0.1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小590KB，共3页; 制造商Central Semiconductor

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CMPSH-3概述

0.1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE

CMPSH-3规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	SOT-23
包装说明	R-PDSO-G3
针数	3
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
应用	FAST RECOVERY
最小击穿电压	30 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e0
最大非重复峰值正向电流	0.75 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	0.1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大功率耗散	0.35 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	30 V
最大反向电流	0.5 µA
最大反向恢复时间	0.005 µs
反向测试电压	25 V
表面贴装	YES
技术	SCHOTTKY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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CMPSH-3

CMPSH-3A

CMPSH-3C

CMPSH-3S

SURFACE MOUNT

SILICON SCHOTTKY DIODES

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPSH-3 series

types are Silicon Schottky diodes designed for surface

mount fast switching applications requiring a low

forward voltage drop.

SOT-23 CASE

The following configurations are available:

CMPSH-3

CMPSH-3A

CMPSH-3C

CMPSH-3S

SINGLE

DUAL, COMMON ANODE

DUAL, COMMON CATHODE

DUAL, IN SERIES

MARKING

SYMBOL

VRRM

IFRM

IFSM

TJ, Tstg

CODE:

D95

DB1

DB2

DA5

UNITS

°C

°C/W

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C)

Peak Repetitive Reverse Voltage

Continuous Forward Current

Peak Repetitive Forward Current

Peak Forward Surge Current, tp=10ms

Power Dissipation

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

100

350

750

350

-65 to +150

357

ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE:

(TA=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

BVR

trr

TEST CONDITIONS

VR=25V

VR=25V, TA=100°C

IR=100μA

IF=2.0mA

IF=15mA

IF=100mA

VR=1.0V, f=1.0MHz

IF=IR=10mA, Irr=1.0mA, RL=100Ω

MIN

TYP

0.29

0.40

0.74

7.0

5.0

MAX

500

100

0.33

0.45

1.00

UNITS

μA

R6 (27-January 2010)

CMPSH-3相似产品对比

	CMPSH-3	CMPSH-3A	CMPSH-3S	CMPSH-3_10
描述	0.1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE	0.1 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE	0.1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE	0.1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
是否无铅	含铅	含铅	含铅	-
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	-
零件包装代码	SOT-23	SOT-23	SOT-23	-
包装说明	R-PDSO-G3	SOT-23, 3 PIN	R-PDSO-G3	-
针数	3	3	3	-
Reach Compliance Code	_compli	not_compliant	_compli	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	-
应用	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	-
最小击穿电压	30 V	30 V	30 V	-
配置	SINGLE	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	-
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	-
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	-
最大正向电压 (VF)	1 V	1 V	1 V	-
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	-
JESD-609代码	e0	e0	e0	-
最大非重复峰值正向电流	0.75 A	0.75 A	0.75 A	-
元件数量	1	2	2	-
相数	1	1	1	-
端子数量	3	3	3	-
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	-
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-
最大输出电流	0.1 A	0.1 A	0.1 A	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
最大功率耗散	0.35 W	0.35 W	0.35 W	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-
最大重复峰值反向电压	30 V	30 V	30 V	-
最大反向电流	0.5 µA	0.5 µA	0.5 µA	-
最大反向恢复时间	0.005 µs	0.005 µs	0.005 µs	-
反向测试电压	25 V	25 V	25 V	-
表面贴装	YES	YES	YES	-
技术	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY	-
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	-
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
Base Number Matches	1	1	1	-

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