Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> CMPD6001C

文档预览

CMPD6001C: 产品描述SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE SILICON SWITCHING DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小655KB，共3页; 制造商Central Semiconductor

下载文档详细参数选型对比全文预览

CMPD6001C概述

SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE SILICON SWITCHING DIODE

CMPD6001C规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Central Semiconductor
零件包装代码	SOT-23
针数	3
Reach Compliance Code	_compli
配置	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e0
元件数量	2
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	0.25 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
最大功率耗散	0.35 W
最大重复峰值反向电压	100 V
最大反向恢复时间	3 µs
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

CMPD6001

CMPD6001A

CMPD6001C

CMPD6001S

SURFACE MOUNT

LOW LEAKAGE

SILICON SWITCHING DIODE

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPD6001 series

types are silicon switching diodes manufactured by

the epitaxial planar process, designed for switching

applications requiring an extremely low leakage diode.

SOT-23 CASE

The following

CMPD6001

CMPD6001A

CMPD6001C

CMPD6001S

configurations are available:

SINGLE

DUAL, COMMON ANODE

DUAL, COMMON CATHODE

DUAL, IN SERIES

MARKING

SYMBOL

VRRM

IFRM

IFSM

TJ, Tstg

CODE:

ULO

ULA

ULC

ULS

UNITS

°C

°C/W

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C)

Continuous Reverse Voltage

Peak Repetitive Reverse Voltage

Continuous Forward Current

Peak Repetitive Forward Current

Peak Forward Surge Current, tp=1.0μs

Peak Forward Surge Current, tp=1.0s

Power Dissipation

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

100

250

4.0

1.0

350

-65 to +150

357

ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE:

(TA=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL TEST CONDITIONS

MIN

MAX

VR=75V

500

BVR

IR=100μA

100

trr

IF=1.0mA

IF=10mA

IF=100mA

VR=0, f =1.0MHz

IR=IF=10mA, RL=100Ω, Rec. to 1.0mA

0.85

0.95

1.1

2.0

3.0

UNITS

μs

R4 (27-January 2010)

CMPD6001C相似产品对比

	CMPD6001C	CMPD6001A	CMPD6001_10
描述	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE SILICON SWITCHING DIODE	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE SILICON SWITCHING DIODE	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE SILICON SWITCHING DIODE
是否无铅	含铅	含铅	-
是否Rohs认证	不符合	不符合	-
厂商名称	Central Semiconductor	Central Semiconductor	-
零件包装代码	SOT-23	SOT-23	-
针数	3	3	-
Reach Compliance Code	_compli	_compli	-
配置	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	-
二极管元件材料	SILICON	SILICON	-
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	-
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	-
JESD-609代码	e0	e0	-
元件数量	2	2	-
端子数量	3	3	-
最高工作温度	150 °C	150 °C	-
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-
最大输出电流	0.25 A	0.25 A	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-
最大功率耗散	0.35 W	0.35 W	-
最大重复峰值反向电压	100 V	100 V	-
最大反向恢复时间	3 µs	3 µs	-
表面贴装	YES	YES	-
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-
端子形式	GULL WING	GULL WING	-
端子位置	DUAL	DUAL	-

推荐资源

采用RS5VE构成的便携式电话机的多功能电源电路图

IR2110在双正激变换器中的应用

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多