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CMPD1001S: 产品描述SURFACE MOUNT HIGH CURRENT SILICON SWITCHING DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小525KB，共3页; 制造商Central Semiconductor

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CMPD1001S概述

SURFACE MOUNT HIGH CURRENT SILICON SWITCHING DIODE

CMPD1001S规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Central Semiconductor
零件包装代码	SOT-23
包装说明	SOT-23, 3 PIN
针数	3
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
配置	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e0
元件数量	2
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	0.25 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大功率耗散	0.35 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	90 V
最大反向恢复时间	0.05 µs
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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CMPD1001

CMPD1001A

CMPD1001S

SURFACE MOUNT

HIGH CURRENT

SILICON SWITCHING DIODE

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPD1001 series

types are silicon switching diodes manufactured by

the epitaxial planar process, designed for applications

requiring high current capability.

SOT-23 CASE

The following configurations are available:

CMPD1001

CMPD1001A

CMPD1001S

SINGLE

DUAL, COMMON ANODE

DUAL, IN SERIES

MARKING CODE: L20

MARKING CODE: L22

MARKING CODE: L21

SYMBOL

IFRM

IRRM

IFSM

TJ, Tstg

250

600

6.0

1.0

350

-65 to +150

357

UNITS

°C

°C/W

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C)

Continuous Reverse Voltage

Continuous Forward Current

Peak Repetitive Forward Current

Peak Repetitive Reverse Current

Peak Forward Surge Current, tp=1.0μs

Peak Forward Surge Current, tp=1.0s

Power Dissipation

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE:

(TA=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

BVR

trr

VR=90V

VR=90V, TA=150°C

IR=100μA

IF=10mA

IF=50mA

IF=100mA

IF=200mA

IF=400mA

VR=0, f=1.0MHz

IR=IF=30mA, Rec. to 3.0mA, RL=100Ω

MAX

100

UNITS

μA

0.75

0.84

0.90

1.00

1.25

R6 (25-January 2010)

CMPD1001S相似产品对比

	CMPD1001S	CMPD1001A	CMPD1001_10	CMPD1001
描述	SURFACE MOUNT HIGH CURRENT SILICON SWITCHING DIODE	SURFACE MOUNT HIGH CURRENT SILICON SWITCHING DIODE	SURFACE MOUNT HIGH CURRENT SILICON SWITCHING DIODE	SURFACE MOUNT HIGH CURRENT SILICON SWITCHING DIODE
是否无铅	含铅	含铅	-	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	-	不符合
厂商名称	Central Semiconductor	Central Semiconductor	-	Central Semiconductor
零件包装代码	SOT-23	SOT-23	-	SOT-23
包装说明	SOT-23, 3 PIN	SOT-23, 3 PIN	-	SOT-23, 3 PIN
针数	3	3	-	3
Reach Compliance Code	_compli	_compli	-	_compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	-	EAR99
配置	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	-	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	-	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	-	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V	1 V	-	1 V
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	-	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e0	e0	-	e0
元件数量	2	2	-	1
端子数量	3	3	-	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	-	150 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-	-65 °C
最大输出电流	0.25 A	0.25 A	-	0.25 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
最大功率耗散	0.35 W	0.35 W	-	0.35 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	90 V	90 V	-	90 V
最大反向恢复时间	0.05 µs	0.05 µs	-	0.05 µs
表面贴装	YES	YES	-	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	-	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	-	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED

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