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CMOD2005

产品描述0.2 A, 350 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小343KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CMOD2005概述

0.2 A, 350 V, SILICON, SIGNAL DIODE

CMOD2005规格参数

参数名称属性值
包装说明ULTRAMINI, PLASTIC PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.25 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压350 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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CMOD2005
SURFACE MOUNT
HIGH VOLTAGE
SILICON SWITCHING DIODE
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMOD2005 is a
Silicon Switching Diode, manufactured by the epitaxial
planar process, epoxy molded in a SOD-523 surface
mount package, designed for applications requiring
high voltage capability.
MARKING CODE: 25
SOD-523 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Continuous Reverse Voltage
Peak Repetitive Reverse Voltage
Average Forward Current
Continuous Forward Current (TL=90°C)
Peak Repetitive Forward Current, tp=1.0ms
Peak Forward Surge Current, tp=1.0μs
Power Dissipation
Power Dissipation (TL=90°C)
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
Thermal Resistance
SYMBOL
VR
VRRM
IO
IF
IFRM
IFSM
PD
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
Θ
JL
300
350
200
250
1.0
4.5
250
500
-65 to +150
500
120
UNITS
V
V
mA
mA
A
A
mW
mW
°C
°C/W
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
IR
IR
BVR
VF
VF
VF
CT
trr
VR=280V
VR=280V, TA=150°C
IR=100μA
IF=20mA
IF=100mA
IF=200mA
VR=0, f=1.0MHz
IR=IF=30mA, Irr=3.0mA, RL=100Ω
MAX
100
100
UNITS
nA
μA
V
V
V
V
pF
ns
350
0.87
1.0
1.25
5.0
50
R1 (24-June 2010)

 
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