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CMLT7820G_10

产品描述SURFACE MOUNT VERY LOW VCE(SAT) PNP SILICON TRANSISTOR
文件大小513KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CMLT7820G_10概述

SURFACE MOUNT VERY LOW VCE(SAT) PNP SILICON TRANSISTOR

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CMLT7820G
SURFACE MOUNT
VERY LOW VCE(SAT)
PNP SILICON TRANSISTOR
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT7820G is
a very low VCE(SAT) PNP Transistor, designed for
applications where small size and efficiency are the
prime requirements. Packaged in a space saving
PICOmini™ SOT-563 surface mount package, this
component provides performance characteristics
suitable for the most demanding size constrained
applications.
MARKING CODE: 78G
FEATURES:
Device is
Halogen Free
by design
High Current (IC=1.0A)
VCE(SAT)=0.34V MAX @ IC=1.0A
PICOmini™ SOT563 surface mount package
Complementary NPN device
CMLT3820G
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
80
60
5.0
1.0
2.0
300
250
-65 to +150
500
MAX
100
100
UNITS
V
V
V
A
A
mA
mW
°C
°C/W
UNITS
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
SOT-563 CASE
APPLICATIONS:
DC/DC Converters
Voltage Clamping
Protection Circuits
Battery powered Cell Phones, Pagers,
Digital Cameras, PDAs, Laptops, etc.
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
Continuous Base Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
ICBO
VCB=60V
IEBO
VEB=5.0V
BVCBO
IC=100µA
80
BVCEO
IC=10mA
60
BVEBO
IE=100µA
5.0
VCE(SAT)
IC=100mA, IB=1.0mA
VCE(SAT)
IC=500mA, IB=50mA
VCE(SAT)
IC=1.0A, IB=100mA
VBE(SAT)
IC=1.0A, IB=50mA
VBE(ON)
VCE=5.0V, IC=1.0A
hFE
VCE=5.0V, IC=1.0mA
200
hFE
VCE=5.0V, IC=500mA
150
hFE
VCE=5.0V, IC=1.0A
100
fT
VCE=10V, IC=50mA
150
Cob
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
0.175
0.18
0.34
1.1
0.9
15
MHz
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