Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CMLT5088E

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CMLT5088E: 产品描述SURFACE MOUNT SILICON DUAL TRANSISTORS; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小524KB，共3页; 制造商Central Semiconductor

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CMLT5088E概述

SURFACE MOUNT SILICON DUAL TRANSISTORS

CMLT5088E规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Central Semiconductor
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数	6
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)	50
JESD-30 代码	R-PDSO-F6
JESD-609代码	e0
元件数量	2
端子数量	6
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.35 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz
Base Number Matches	1

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CMLT5078E NPN/PNP

CMLT5087E PNP/PNP

CMLT5088E NPN/NPN

ENHANCED SPECIFICATION

SURFACE MOUNT

SILICON DUAL TRANSISTORS

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT5078E,

CMLT5087E, and CMLT5088E, are Silicon transistors

in a PICOmini™ surface mount package with enhanced

specifications designed for applications requiring high

gain and low noise.

MARKING CODE & CONFIGURATION:

CMLT5078E: DUAL, COMPLEMENTARY: L78

CMLT5087E: DUAL, PNP: L87

CMLT5088E: DUAL, NPN: L88

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

TJ, Tstg

UNITS

C/W

SOT-563 CASE

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25

♦

Collector-Base Voltage

♦

Collector-Emitter Voltage

♦

Emitter-Base Voltage

Continuous Collector Current

Power Dissipation

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

5.0

100

350

-65 to +150

357

ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:

(TA=25

C unless otherwise noted)

TYP

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

NPN

PNP

MAX

ICBO

IEBO

VCB=20V

VEB=3.0V

IC=100µA

IC=1.0mA

IE=100µA

IC=10mA, IB=1.0mA

IC=100mA, IB=10mA

IC=10mA, IB=1.0mA

VCE=5.0V, IC=0.1mA

VCE=5.0V, IC=1.0mA

VCE=5.0V, IC=10mA

VCE=5.0V, IC=100mA

VCE=5.0V, IC=500µA, f=20MHz

VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz

VBE=0.5V, IC=0, f=1.0MHz

VCE=5.0V, IC=1.0mA, f=1.0kHz

VCE=5.0V, IC=100μA, RS=10kΩ,

f=10Hz to 15.7kHz

Enhanced specification.

Additional Enhanced specification.

350

5.0

135

8.7

110

700

300

100

4.0

1400

3.0

430

435

430

125

150

105

7.5

225

700

390

380

350

100

400

800

900

UNITS

♦

BVCBO

♦

BVCEO

♦

BVEBO

♦

VCE(SAT)

♦♦

VCE(SAT)

♦

hFE

VBE(SAT)

♦

hFE

♦♦

hFE

♦

Cob

Cib

hfe

MHz

♦

♦♦

R3 (20-January 2010)

CMLT5088E相似产品对比

	CMLT5088E	CMLT5078E	CMLT5078E_10
描述	SURFACE MOUNT SILICON DUAL TRANSISTORS	SURFACE MOUNT SILICON DUAL TRANSISTORS	SURFACE MOUNT SILICON DUAL TRANSISTORS
是否无铅	含铅	含铅	-
是否Rohs认证	不符合	不符合	-
厂商名称	Central Semiconductor	Central Semiconductor	-
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	-
针数	6	6	-
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	-
其他特性	LOW NOISE	LOW NOISE	-
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	-
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	-
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS	SEPARATE, 2 ELEMENTS	-
最小直流电流增益 (hFE)	50	50	-
JESD-30 代码	R-PDSO-F6	R-PDSO-F6	-
JESD-609代码	e0	e0	-
元件数量	2	2	-
端子数量	6	6	-
最高工作温度	150 °C	150 °C	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
极性/信道类型	NPN	NPN AND PNP	-
最大功率耗散 (Abs)	0.35 W	0.35 W	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-
表面贴装	YES	YES	-
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-
端子形式	FLAT	FLAT	-
端子位置	DUAL	DUAL	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	-
标称过渡频率 (fT)	100 MHz	100 MHz	-
Base Number Matches	1	1	-

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