SURFACE MOUNT DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | HALOGEN FREE, PICOMINI-6 |
| 针数 | 6 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 50 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.28 A |
| 最大漏源导通电阻 | 2.5 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 7 pF |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-F6 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 2 |
| 端子数量 | 6 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| CMLDM8002AG | CMLDM8002A | CMLDM8002AJ | CMLDM8002A_10 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | SURFACE MOUNT DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET | SURFACE MOUNT DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET | SURFACE MOUNT DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET | SURFACE MOUNT DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | - |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | - |
| 包装说明 | HALOGEN FREE, PICOMINI-6 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | - |
| 针数 | 6 | 6 | 6 | - |
| Reach Compliance Code | _compli | _compli | _compli | - |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | - |
| 配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | - |
| 最小漏源击穿电压 | 50 V | 50 V | 50 V | - |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.28 A | 0.00028 A | 0.00028 A | - |
| 最大漏源导通电阻 | 2.5 Ω | 2.5 Ω | 2.5 Ω | - |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
| 最大反馈电容 (Crss) | 7 pF | 7 pF | 7 pF | - |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-F6 | R-PDSO-G6 | R-PDSO-G6 | - |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | - |
| 元件数量 | 2 | 2 | 2 | - |
| 端子数量 | 6 | 6 | 6 | - |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL | P-CHANNEL | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | - |
| 端子面层 | TIN LEAD | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - |
| 端子形式 | FLAT | GULL WING | GULL WING | - |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | - |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | - |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | - |
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