Cache SRAM, 32KX18, 10ns, BICMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Motorola ( NXP ) |
| 包装说明 | PLASTIC, LCC-52 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.B |
| 最长访问时间 | 10 ns |
| 其他特性 | SELF-TIMED WRITE; BURST COUNTER; BYTE WRITE |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-J52 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 19.1262 mm |
| 内存密度 | 589824 bit |
| 内存集成电路类型 | CACHE SRAM |
| 内存宽度 | 18 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 52 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 32KX18 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC52,.8SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.57 mm |
| 最大待机电流 | 0.075 A |
| 最小待机电流 | 4.75 V |
| 最大压摆率 | 0.265 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | BICMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 19.1262 mm |
| MCM67M518AFN10 | MCM67M518AFN8.5 | |
|---|---|---|
| 描述 | Cache SRAM, 32KX18, 10ns, BICMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | Cache SRAM, 32KX18, 8.5ns, BICMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | PLASTIC, LCC-52 | PLASTIC, LCC-52 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.B | 3A991.B.2.B |
| 最长访问时间 | 10 ns | 8.5 ns |
| 其他特性 | SELF-TIMED WRITE; BURST COUNTER; BYTE WRITE | SELF-TIMED WRITE; BURST COUNTER; BYTE WRITE |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-J52 | S-PQCC-J52 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 长度 | 19.1262 mm | 19.1262 mm |
| 内存密度 | 589824 bit | 589824 bit |
| 内存集成电路类型 | CACHE SRAM | CACHE SRAM |
| 内存宽度 | 18 | 18 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 52 | 52 |
| 字数 | 32768 words | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 | 32000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 32KX18 | 32KX18 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 可输出 | YES | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC52,.8SQ | LDCC52,.8SQ |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.57 mm | 4.57 mm |
| 最大待机电流 | 0.075 A | 0.075 A |
| 最小待机电流 | 4.75 V | 4.75 V |
| 最大压摆率 | 0.265 mA | 0.29 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | BICMOS | BICMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 19.1262 mm | 19.1262 mm |
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