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CMLD6263C

产品描述0.015 A, 70 V, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小521KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CMLD6263C在线购买

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CMLD6263C概述

0.015 A, 70 V, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

0.015 A, 70 V, 4 组成, 硅, 信号二极管

CMLD6263C规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明R-PDSO-F6
针数6
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
配置2 BANKS, COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.41 V
JESD-30 代码R-PDSO-F6
JESD-609代码e0
元件数量4
端子数量6
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.015 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.25 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压70 V
最大反向电流0.2 µA
最大反向恢复时间0.005 µs
反向测试电压50 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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CMLD6263A
CMLD6263C
CMLD6263S
SURFACE MOUNT
DUAL PAIR, HIGH VOLTAGE
SILICON SCHOTTKY DIODES
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLD6263 Series
incorporates two pair, high voltage, low VF Silicon
Diodes in a space saving SOT-563 surface mount
package. These diodes are designed for fast switching
applications requiring a low forward voltage drop.
MARKING CODES:
CMLD6263A: 63A
CMLD6263C: 63C
CMLD6263S: 63S
SOT-563 CASE
FEATURES:
• High Voltage (70V)
• Low Forward Voltage
• Various Dual Pair Configurations
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Peak Repetitive Reverse Voltage
Continuous Forward Current
Peak Forward Surge Current, tp=1.0s
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VRRM
IF
IFSM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
70
15
50
250
-65 to +150
500
UNITS
V
mA
mA
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
IR
BVR
VF
CT
trr
VR=50V
IR=10μA
IF=1.0mA
VR=0, f=1.0MHz
IR=IF=10mA, Irr=1.0mA, RL=100Ω
98
70
395
410
2.0
5.0
200
UNITS
nA
V
mV
pF
ns
R2 (18-January 2010)

CMLD6263C相似产品对比

CMLD6263C CMLD6263A_10 CMLD6263A
描述 0.015 A, 70 V, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE 0.015 A, 70 V, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE 0.015 A, 70 V, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE SIGNAL DIODE RECTIFIER DIODE
元件数量 4 4 4
端子数量 6 6 6
最大重复峰值反向电压 70 V 70 V 70 V
表面贴装 YES Yes YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL
是否无铅 含铅 - 含铅
是否Rohs认证 不符合 - 不符合
包装说明 R-PDSO-F6 - PICOMINI-6
针数 6 - 6
Reach Compliance Code _compli - _compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99
配置 2 BANKS, COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS - 2 BANKS, COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
最大正向电压 (VF) 0.41 V - 0.41 V
JESD-30 代码 R-PDSO-F6 - R-PDSO-F6
JESD-609代码 e0 - e0
最高工作温度 150 °C - 150 °C
最低工作温度 -65 °C - -65 °C
最大输出电流 0.015 A - 0.015 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
最大功率耗散 0.25 W - 0.25 W
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
最大反向电流 0.2 µA - 0.2 µA
最大反向恢复时间 0.005 µs - 0.005 µs
反向测试电压 50 V - 50 V
技术 SCHOTTKY - SCHOTTKY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 - 1
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