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CMLM2205_10

产品描述SURFACE MOUNT SILICON SWITCHING NPN TRANSISTOR AND LOW VF SILICON SCHOTTKY DIODE
文件大小586KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CMLM2205_10概述

SURFACE MOUNT SILICON SWITCHING NPN TRANSISTOR AND LOW VF SILICON SCHOTTKY DIODE

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CMLM2205
MULTI DISCRETE MODULE
SURFACE MOUNT
SILICON SWITCHING NPN TRANSISTOR
AND
LOW VF SILICON SCHOTTKY DIODE
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLM2205 is a
Multi Discrete Module™ consisting of a single NPN
Transistor and Schottky Diode packaged in a space
saving PICOmini™ SOT-563 case. This device is
designed for small signal general purpose applications
where size and operational efficiency are prime
requirements.
• Combination: Small Signal Switching NPN Transistor
and Low VF Schottky Diode.
SOT-563 CASE
• Complementary Device:
CMLM0705
MARKING CODE: C22
MAXIMUM RATINGS - CASE:
(TA=25°C)
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
MAXIMUM RATINGS - Q1:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
MAXIMUM RATINGS - D1:
(TA=25°C)
Peak Repetitive Reverse Voltage
Continuous Forward Current
Peak Repetitive Forward Current, tp
≤1.0ms
Peak Forward Surge Current, tp= 8.0ms
SYMBOL
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
SYMBOL
VRRM
IF
IFRM
IFSM
350
-65 to +150
357
100
45
6.0
600
40
500
3.5
10
UNITS
mW
°C
°C/W
UNITS
V
V
V
mA
UNITS
V
mA
A
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS - Q1:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
ICBO
VCB=60V
ICBO
VCB=60V, TA=125°C
ICEV
VCE=60V, VEB=3.0V
IEBO
VEB=3.0V
BVCBO
IC=10μA
100
145
BVCEO
IC=10mA
45
53
BVEBO
IE=10μA
6.0
0.09
VCE(SAT) IC=150mA, IB=15mA
VCE(SAT) IC=500mA, IB=50mA
0.12
VBE(SAT)
IC=150mA, IB=15mA
0.6
VBE(SAT)
IC=500mA, IB=50mA
hFE
VCE=10V, IC=0.1mA
100
210
hFE
VCE=10V, IC=1.0mA
100
205
hFE
VCE=10V, IC=10mA
100
205
hFE
VCE=1.0V, IC=150mA
75
150
hFE
VCE=10V, IC=150mA
100
hFE
VCE=10V, IC=500mA
60
130
MAX
10
10
10
10
0.15
0.50
1.2
2.0
UNITS
nA
μA
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
300
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