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CMKD7000E

产品描述0.2 A, 120 V, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小527KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CMKD7000E概述

0.2 A, 120 V, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

CMKD7000E规格参数

参数名称属性值
厂商名称Central Semiconductor
包装说明R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最小击穿电压120 V
配置2 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码R-PDSO-G6
元件数量4
相数1
端子数量6
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.25 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压120 V
最大反向电流0.5 µA
最大反向恢复时间0.004 µs
反向测试电压100 V
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

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CMKD7000E
SURFACE MOUNT
DUAL PAIR OF
SERIES CONFIGURED
ULTRA-HIGH SPEED SILICON
SWITCHING DIODES
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMKD7000E is an
enhanced version of the CMKD7000. It consists of two
pair of electrically isolated, series configured ultra-high
speed switching diodes in an ULTRAmini
TM
SOT-363
surface mount package, designed for ESD protection
and high speed switching applications.
MARKING: K0E
SOT-363 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Peak Repetitive Reverse Voltage
Average Forward Current
Peak Forward Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VRRM
IO
IFM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
120
200
500
250
-65 to +150
500
UNITS
V
mA
mA
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
IR
IR
VR=50V
VR=50V (TA=125°C)
VR=100V
IR=100μA
IF=1.0mA
IF=10mA
IF=100mA
VR=0, f=1.0MHz
IR=IF=10mA, RL=100Ω, Rec. to 1.0mA
120
0.55
0.67
0.85
150
0.59
0.72
0.91
1.5
2.0
0.65
0.77
1.0
2.6
4.0
300
100
500
UNITS
nA
μA
nA
V
V
V
V
pF
ns
BVR
VF
VF
VF
CT
trr
IR
Enhanced specification.
R0 (2-December 2009)

 
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