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CMBT3906E

产品描述ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小357KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CMBT3906E概述

ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

CMBT3906E规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-F3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz
最大关闭时间(toff)250 ns
最大开启时间(吨)70 ns

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CMBT3904E NPN
CMBT3906E PNP
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
COMPLEMENTARY
SILICON TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMBT3904E
(NPN) and CMBT3906E (PNP) are general purpose
transistors with enhanced specifications. These
devices are ideal for applications where ultra small
size and power dissipation are the prime requirements.
Packaged in the
FEMTOmini™
SOT-923 package,
these transistors provide performance characteristics
suitable for the most demanding size constrained
applications.
MARKING CODES: CMBT3904E: B
CMBT3906E: G
APPLICATIONS
• DC / DC Converters
• Voltage Clamping
• Protection Circuits
• Battery powered applications including:
Cell Phones, Digital Cameras, Pagers,
PDAs, Laptop Computers, etc.
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
60
40
6.0
200
100
-65 to +150
1250
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
SOT-923 CASE
FEATURES
• Very Small Package Size
• 200mA Collector Current
• Low VCE(SAT) (0.1V Typ @ 50mA)
• Miniature 0.8 x 0.6 x 0.4mm
Ultra Low height profile
FEMTOmini™
Surface Mount Package
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Emitter Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
ICEV
BVCEO
TEST CONDITIONS
VCE=30V, VEB=3.0V
IC=10µA
IC=1.0mA
IE=10µA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
MIN
60
40
6.0
NPN
TYP
115
60
7.5
0.057
0.100
PNP
TYP
90
55
7.9
0.050
0.100
0.750
0.850
MAX
50
UNITS
nA
V
V
V
BVCBO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
0.100
0.200
0.850
0.950
V
V
V
V
0.650
0.750
0.850
Enhanced specification.
R1 (8-January 2010)

CMBT3906E相似产品对比

CMBT3906E CMBT3904E_10 CMBT3904E
描述 ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
是否无铅 含铅 - 含铅
是否Rohs认证 不符合 - 不符合
厂商名称 Central Semiconductor - Central Semiconductor
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数 3 - 3
Reach Compliance Code _compli - not_compliant
ECCN代码 EAR99 - EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.2 A - 0.2 A
集电极-发射极最大电压 40 V - 40 V
配置 SINGLE - SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30 - 30
JESD-30 代码 R-PDSO-F3 - R-PDSO-F3
JESD-609代码 e0 - e0
元件数量 1 - 1
端子数量 3 - 3
最高工作温度 150 °C - 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP - NPN
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 YES - YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 FLAT - FLAT
端子位置 DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
标称过渡频率 (fT) 300 MHz - 300 MHz
最大关闭时间(toff) 250 ns - 250 ns
最大开启时间(吨) 70 ns - 70 ns
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