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CJD31C

产品描述SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小428KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CJD31C概述

SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

CJD31C规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值15 W
最大功率耗散 (Abs)15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)3 MHz
VCEsat-Max1.2 V

CJD31C相似产品对比

CJD31C CJD31C_10 CJD32C
描述 SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
是否无铅 含铅 - 含铅
是否Rohs认证 不符合 - 不符合
厂商名称 Central Semiconductor - Central Semiconductor
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 - SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 - 3
Reach Compliance Code _compli - _compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99
外壳连接 COLLECTOR - COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 3 A - 3 A
集电极-发射极最大电压 100 V - 100 V
配置 SINGLE - SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 10 - 10
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 - R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 - e0
元件数量 1 - 1
端子数量 2 - 2
最高工作温度 150 °C - 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN - PNP
功耗环境最大值 15 W - 15 W
最大功率耗散 (Abs) 15 W - 15 W
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 YES - YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING - GULL WING
端子位置 SINGLE - SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
标称过渡频率 (fT) 3 MHz - 3 MHz
VCEsat-Max 1.2 V - 1.2 V

 
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