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IS24C02-Z

产品描述EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8, TSSOP-8
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文件大小82KB,共10页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IS24C02-Z概述

EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8, TSSOP-8

IS24C02-Z规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码SOIC
包装说明TSSOP-8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性1000000 ENDURANCE CYCLES; TWO WIRE SERIAL INTERFACE
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
数据保留时间-最小值10
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DDDR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
长度4.4 mm
内存密度2048 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数256 words
字数代码256
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256X8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSOP8(UNSPEC)
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.000008 A
最大压摆率0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度3 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
写保护HARDWARE

IS24C02-Z相似产品对比

IS24C02-Z IS24C02-S IS24C02-SI IS24C02-ZI
描述 EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8, TSSOP-8 EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8, MSOP-8 EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8, MSOP-8 EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8, TSSOP-8
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码 SOIC MSOP MSOP SOIC
包装说明 TSSOP-8 MSOP-8 MSOP-8 TSSOP-8
针数 8 8 8 8
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 1000000 ENDURANCE CYCLES; TWO WIRE SERIAL INTERFACE 1000000 ENDURANCE CYCLES; TWO WIRE SERIAL INTERFACE 1000000 ENDURANCE CYCLES; TWO WIRE SERIAL INTERFACE 1000000 ENDURANCE CYCLES; TWO WIRE SERIAL INTERFACE
最大时钟频率 (fCLK) 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz
数据保留时间-最小值 10 10 10 10
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节 1010DDDR 1010DDDR 1010DDDR 1010DDDR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 S-PDSO-G8 S-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 4.4 mm 3 mm 3 mm 4.4 mm
内存密度 2048 bit 2048 bit 2048 bit 2048 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8
字数 256 words 256 words 256 words 256 words
字数代码 256 256 256 256
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 85 °C 85 °C
组织 256X8 256X8 256X8 256X8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSSOP TSSOP TSSOP TSSOP
封装等效代码 TSOP8(UNSPEC) SOP8(UNSPEC) SOP8(UNSPEC) TSOP8(UNSPEC)
封装形状 RECTANGULAR SQUARE SQUARE RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 240 240
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.1 mm 1.1 mm 1.2 mm
串行总线类型 I2C I2C I2C I2C
最大待机电流 0.000008 A 0.000008 A 0.000008 A 0.000008 A
最大压摆率 0.002 mA 0.002 mA 0.002 mA 0.002 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 30 30
宽度 3 mm 3 mm 3 mm 3 mm
最长写入周期时间 (tWC) 10 ms 10 ms 10 ms 10 ms
写保护 HARDWARE HARDWARE HARDWARE HARDWARE

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