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CBR1U-D010S_10

产品描述1 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小551KB,共4页
制造商Central Semiconductor
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CBR1U-D010S_10概述

1 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

1 A, 200 V, 硅, 桥式整流二极管

CBR1U-D010S_10规格参数

参数名称属性值
最小击穿电压200 V
元件数量4
端子数量4
加工封装描述SURFACE MOUNT, PLASTIC, DIP-4
each_compliYes
状态Active
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
结构BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
最大正向电压1.1 V
jesd_30_codeR-PDSO-G4
jesd_609_codee0
moisture_sensitivity_levelNOT SPECIFIED
最大非重复峰值正向电流50 A
相数1
最小工作温度-65 Cel
最大工作温度150 Cel
最大输出电流1 A
包装材料PLASTIC/EPOXY
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
eak_reflow_temperature__cel_NOT SPECIFIED
qualification_statusCOMMERCIAL
最大重复峰值反向电压200 V
sub_categoryBridge Rectifier Diodes
表面贴装YES
工艺SCHOTTKY
端子涂层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
ime_peak_reflow_temperature_max__s_NOT SPECIFIED

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CBR1U-D010S
CBR1U-D020S
SURFACE MOUNT
1 AMP ULTRA FAST
SILICON BRIDGE RECTIFIER
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBR1U-D010S,
CBR1U-D020S types are silicon full wave ultra fast
bridge rectifiers mounted in a durable epoxy surface
mount molded case, utilizing glass passivated chips.
MARKING: FULL PART NUMBER
SMDIP CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
Peak Repetitive Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Forward Current (TA=40°C)
Peak Forward Surge Current
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
TJ, Tstg
Θ
JA
-65 to +150
40
°C
°C/W
SYMBOL
VRRM
VR
VR(RMS)
IO
IFSM
CBR1U-D010S
100
100
70
1.0
50
CBR1U-D020S
200
200
140
UNITS
V
V
V
A
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
IR
IR
VF
trr
VR=Rated VRRM
VR=Rated VRRM, TA=125°C
IF=1.0A
IF=500mA, IR=1.0A, Irr=250mA
MAX
5.0
1.0
1.05
50
UNITS
µA
mA
V
ns
R3 (4-January 2010)

CBR1U-D010S_10相似产品对比

CBR1U-D010S_10 CBR1U-D010S CBR1U-D020S CBR1U-D020S TR13 CBR1U-D010S TR13
描述 1 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 1 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 1 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE RECT BRIDGE 1A 200V 4SMDIP RECT BRIDGE 1A 100V 4SMDIP
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE 单相 单相
最小击穿电压 200 V 100 V 200 V - -
元件数量 4 4 4 - -
端子数量 4 4 4 - -
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON - -
最大非重复峰值正向电流 50 A 50 A 50 A - -
相数 1 1 1 - -
最大输出电流 1 A 1 A 1 A - -
最大重复峰值反向电压 200 V 100 V 200 V - -
表面贴装 YES YES YES - -
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING - -
端子位置 DUAL DUAL DUAL - -
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