M95160-WBN1,M95160-WBN1 pdf中文资料,M95160-WBN1引脚图,M95160-WBN1电路-Datasheet-电子工程世界

M95160-WBN1: 产品描述2KX8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.25 MM LEAD FRAME, SKINNY, PLASTIC, DIP-8; 产品类别存储存储; 文件大小180KB，共21页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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M95160-WBN1概述

2KX8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.25 MM LEAD FRAME, SKINNY, PLASTIC, DIP-8

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	DIP
包装说明	0.25 MM LEAD FRAME, SKINNY, PLASTIC, DIP-8
针数	8
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最大时钟频率 (fCLK)	2 MHz
数据保留时间-最小值	40
耐久性	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDIP-T8
JESD-609代码	e0
长度	9.55 mm
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	8
字数	2048 words
字数代码	2000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP8,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3/5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.9 mm
串行总线类型	SPI
最大待机电流	0.000002 A
最大压摆率	0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms
写保护	HARDWARE/SOFTWARE

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