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BZX85C13A0

产品描述Zener Diode, 13V V(Z), 5%, 1.3W, Silicon, Unidirectional, DO-41, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小759KB,共3页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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BZX85C13A0概述

Zener Diode, 13V V(Z), 5%, 1.3W, Silicon, Unidirectional, DO-41, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

BZX85C13A0规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.3 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压13 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%
工作测试电流20 mA

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Small Signal Diode
BZX85C3V3-BZX85C56
1.3W,5% Tolerance Zener Diode
DO-41 Axial Lead
HERMETICALLY SEALED GLASS
D
Features
Wide zener voltage range selection : 3.3V to 56V
V
Z
Tolerance Selection of ±5%
Designed for through-Hole Device Type Mounting.
Hermetically Sealed Glass.
Pb free version and RoHS compliant
High reliability glass passivation insuring parameter
stability and protection against junction contamination.
C
A
B
Mechanical Data
Case :DO-41 Solder Hot Dip Tin (Sn) lead finish
Lead: Axial leads, solderable per
MIIL-STD-202, Method 2025
Polarity : Indicated by cathode band
Weight : 310 mg
Dimensions
A
B
C
D
Unit (mm)
Min
0.68
3.70
25.40
2.10
Max
0.81
4.25
-
Unit (inch)
Min
Max
0.027 0.032
0.146
0.167
1.000
-
0.102
2.60
0.083
Ordering Information
Part No.
BZX85C3V3-56
BZX85C3V3-56
Package code
A0
R0
Package
DO-41
DO-41
Packing
3Kpcs / Ammo
5Kpcs / 14" Reel
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Type Number
Maximum Ratings
Symbol
P
D
I
F
=10mA
(Note 1)
V
F
RθJA
T
J
, T
STG
Value
1.3
1.2
130
-55 to + 175
Units
W
V
°C/W
°C
Power Dissipation
Forward Voltage
Thermal Resistance (Junction to Ambient)
Junction and Storage Temperature Range
Notes:1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature
Zener I vs. V Characteristics
Current
I
F
V
ZM
V
Z
V
BR
V
R
I
R
I
ZK
I
ZT
I
ZM
BreakdownRegion
Leakage Region
Forward Region
V
F
Voltage
V
BR
I
ZK
Z
ZK
I
ZT
V
Z
Z
ZT
I
ZM
V
ZM
: Voltage at I
ZK
: Test current for voltage V
BR
: Dynamic impedance at I
ZK
: Test current for voltage V
Z
: Voltage at current I
ZT
: Dynamic impedance at I
ZT
: Maximum steady state current
: Voltage at I
ZM
Version : D11
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